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J-GLOBAL ID：202002211123770962   整理番号：20A0193295

導電性PEDOT:PSS膜のエージング抵抗を改善するためのエージングと方法の理解【JST・京大機械翻訳】

Understanding the mechanism of ageing and a method to improve the ageing resistance of conducting PEDOT:PSS films

著者 (2件)： Bontapalle Sujitkumar (Department of Chemical Engineering, Indian Institute of Technology Madras, Chennai, 600036, India) ,  Varughese Susy (Department of Chemical Engineering, Indian Institute of Technology Madras, Chennai, 600036, India)
資料名： Polymer Degradation and Stability  (Polymer Degradation and Stability)
巻： 171  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： E0404B  ISSN： 0141-3910  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 150°Cまでのポリ(3,4エチレンジオキシチオフェン): ポリ(スチレンスルホン酸塩(PEDOT:PSS)薄膜上で加速熱エージング研究を行い,その寿命を予測した。化学構造と電子構造に及ぼす熱エージングの影響を調べた。エージングによるPEDOT:PSS膜の伝導率の変化を,UV-Vis,ATR-FTIR,Raman分光法およびAFM分析と共に研究した。異なる温度での伝導率はPEDOT:PSS(1.6PSS)の場合に時間とともに指数関数的に減少することを示した。このデータに基づいて,周囲条件でのPEDOT:PSS薄膜の寿命を予測した。FTIR分光法を用いた化学構造の変化の解析およびUV-Visデータを用いた電子構造の対応する変化は,エージング中のポーラロン状態の変化を示した。Raman分光データにおける対応する変化は,伝導率変化をもたらすエージング中に起こる酸化-中性転移を示した。膜形成中のPEDOT:PSS分散の一方向せん断が熱時効特性を改善することが観察された。これらの膜のエージング抵抗は,より高いPSS比を有するPEDOT:PSS2.5PSS膜のそれに匹敵するようになった。AFM研究は膜の表面形態に及ぼす時効の影響を示し,形成中の膜のせん断はより良い時効抵抗と安定な形態をもたらすことができる。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 熱劣化 ,  ポーラロン ,  剪断 ,  導電性高分子 ,  剪断加工 ,  Raman分光法 ,  時効 ,  指数関数 ,  電子構造 ,  酸化 ,  *導電性 ,  FTIR分光法 ,  薄膜
準シソーラス用語： *PEDOT:PSS , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： PEDOT:PSS PSS ,  導電性高分子 ,  加速老化 ,  生活時間 ,  せん断加工 ,  ポーラロン状態

分類 (1件)： 高分子の分解,劣化  (CG03010A)

タイトルに関連する用語 (5件)： 導電性 ,  PEDOT ,  PSS ,  エージング ,  理解