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J-GLOBAL ID：202002211544413122   整理番号：20A2118912

ナノ層キャパシタにおける電子電界放出によるCoulomb障壁生成【JST・京大機械翻訳】

Coulomb barrier creation by means of electronic field emission in nanolayer capacitors

著者 (6件)： Ilin Eduard (Department of Physics, University of Illinois at Urbana-Champaign, Urbana, IL 61801, USA. [e-mail]) ,  Burkova Irina ,  Draher Timothy ,  Colla Eugene V. ,  Huebler Alfred ,  Bezryadin Alexey
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 12  号： 36  ページ： 18761-18770  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノスケール誘電体膜を有するキャパシタにおけるエネルギー損失の主な機構は漏れ電流である。Al-Al_2O_3-Alの例を用いて,2つの主な寄与,すなわち,低温電界放出効果と誘電体によるホッピング伝導率があることを示した。著者らの主な知見は,高い電場,~0.6~0.7GVm-1の適用が電子を誘電体に浸透させる原因となることである。温度が十分に低いならば,そのような電子は誘電体中に永久的にトラップされる。誘電体の強い充電を達成するために,電圧は十分高く,電界放出がカソードから誘電体に起こる。このような強く帯電した誘電体層はCoulomb障壁を生成し,漏れ電流の抑制をもたらす。したがって,キャパシタの誘電体ナノ層が充電された後,電界放出とホッピング伝導率の両方が抑制され,I-V曲線のヒステリシスは消滅した。この現象を~225Kまでの温度で観察した。Coulomb障壁の現象が室温まで持続する絶縁体を同定することは有利であるが,この時,このような誘電体が存在するかどうか,そして/または設計できるかどうかは知られていない。Copyright 2020 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エネルギー損失 ,  *コンデンサ ,  低温 ,  電圧 ,  電場 ,  *電界放出 ,  誘電体 ,  誘電体薄膜 ,  漏れ電流 ,  *Coulomb障壁 ,  ホッピング伝導 ,  カソード ,  絶縁体
準シソーラス用語： *ナノ薄膜 ,  ナノスケール , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  熱電子放出,電界放出  (BM09020S)

タイトルに関連する用語 (5件)： ナノ層 ,  キャパシタ ,  電子 ,  電界放出 ,  Coulomb障壁