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J-GLOBAL ID：202002211708006118   整理番号：20A1068685

トポロジカル絶縁体Bi_2Se_3ナノワイヤにおける光電流測定【JST・京大機械翻訳】

Photocurrent measurements in topological insulator Bi₂Se₃ nanowires

著者 (5件)： Meyer N. (Institute of Physics, University of Greifswald, Felix-Hausdorff-Str. 6, 17489 Greifswald, Germany) ,  Geishendorf K. (IFW Dresden, Institute for Metallic Materials, Helmholtzstrasse 20, 01069 Dresden, Germany) ,  Walowski J. (Institute of Physics, University of Greifswald, Felix-Hausdorff-Str. 6, 17489 Greifswald, Germany) ,  Thomas A. (IFW Dresden, Institute for Metallic Materials, Helmholtzstrasse 20, 01069 Dresden, Germany) ,  Muenzenberg M. (Institute of Physics, University of Greifswald, Felix-Hausdorff-Str. 6, 17489 Greifswald, Germany)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 116  号： 17  ページ： 172402-172402-5  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 円形光ガルバニ電流はスピンオプトエレクトロニクスの有望な方法である。今日まで,このような電流はトポロジカル絶縁体フレークまたは拡張膜に誘起されている。それらがナノデバイスで発生できるかどうかは明らかではない。本論文では,Bi_2Se_3ナノワイヤにおける円形光ガルバニ電流の発生を実証した。各ナノワイヤはトポロジー的表面状態を示した。ここでは,駆動光波を介して異なる光電流の寄与を生成し区別した。レーザ光偏光を制御することにより,熱Seebeck効果によるものから円形光ガルバニ電流を分離した。結果は,スピン運動量同期とスピン-軌道効果から生じるナノワイヤにおけるスピン偏極表面Dirac電子流を明らかにした。このレターで記述された第二の光電流の寄与は熱Seebeck効果によって引き起こされる。光電流を走査することにより,空間的に分解できる。ナノワイヤに沿った勾配方向を反転させると,光電流はその符号を変化させ,金接触に近く,異なる光電流寄与の振幅は接触への近接により影響される。ナノワイヤの中心において,金接触/トポロジカル絶縁体スタックからの効果が消失するところで,スピン分極電流はナノワイヤに沿って一定のままである。これにより,トポロジー絶縁体ナノワイヤおよびハイブリッド構造における全光スピン電流発生が,スピン軌道の一つの目標であるナノスケール上で可能になった。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 位相幾何学 ,  *光電流 ,  *電流 ,  熱起電力 ,  偏光 ,  金 ,  スピン分極 ,  レーザビーム ,  オプトエレクトロニクス ,  *ナノワイヤ ,  複合構造 ,  *トポロジカル絶縁体
準シソーラス用語： ナノスケール ,  ナノデバイス ,  Dirac電子 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 光伝導,光起電力  (BM03050J) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： トポロジカル絶縁体 ,  ナノワイヤ ,  光電流