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J-GLOBAL ID:202002211739629156   整理番号:20A2550699

CuGaSe_2単結晶の作製とその光陰極特性【JST・京大機械翻訳】

Preparation of a CuGaSe2 single crystal and its photocathodic properties
著者 (7件):
資料名:
巻: 10  号: 66  ページ: 40310-40315  発行年: 2020年 
JST資料番号: U7055A  ISSN: 2046-2069  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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自家製Bridgman型炉を用いたフラックス法により,黄銅鉱CuGaSe_2単結晶の合成に成功した。成長した結晶はSeの少ない組成でほぼ化学量論的であった。このようにして得られた単結晶のウエハ形は,そのような好ましくないオフ化学量論のため,貧弱なp型電気特性を示したが,これらの特性は,Se蒸気条件下でポストアニーリング処理を適用することにより改善されることが分かった。結果として,Se処理単結晶ウエハに由来する電極は,かなりのp型光電流を示した。電極の表面上にCdS超薄層とナノ粒子Pt触媒の堆積後,0V_RHEのバイアス電位の適用による模擬太陽光による光照射下の修飾電極上でかなりの光電気化学H_2発生を観測した。Copyright 2020 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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電気化学反応 
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