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J-GLOBAL ID：202002211752586089   整理番号：20A2241629

FZシリコン結晶成長に対するハルバッハ配列磁石の適用

Application of Halbach array magnet on the Floating Zone Silicon

著者 (4件)： HAN Xue-Feng (Kyushu Univ.) ,  KAKIMOTO Koichi (Kyushu Univ.) ,  ZAIDAT Kader (Grenoble-Alpes Univ.) ,  ALRADI Samah (Grenoble-Alpes Univ.)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 67th  ページ： ROMBUNNO.15a-D411-1  発行年： 2020年02月28日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

本文一部表示： 浮遊帯(FZ)シリコンは,その高純度のため,高電圧パワーデバイスで広く使用されている。以前の研究は,成長速度または直径の増加が固液界面のたわみを増加させることを示した。固体-液体界面のより多くの偏向は,高い熱応力を導入し,単結晶の亀裂をもた...【JST・京大機械翻訳】【本文一部表示】

シソーラス用語： 界面 ,  亀裂 ,  *結晶成長 ,  *磁石 ,  単結晶 ,  熱伝達 ,  流体流 ,  たわみ ,  *ケイ素 ,  三次元 ,  Lorentz力 ,  静磁場 ,  メルト ,  固液界面
準シソーラス用語： 数値シミュレーション , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 電磁機器  (NB10030C) ,  電磁石  (NA05080G)

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコン ,  結晶成長 ,  ハルバッハ配列 ,  磁石