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J-GLOBAL ID：202002211810615203   整理番号：20A2327752

スピンデバイスにおけるジグザグSiCナノリボンの欠陥影響【JST・京大機械翻訳】

The defect impacts of zigzag SiC nanoribbons in the spin devices

著者 (5件)： Zhou Yuhong (School of Electronics and Information Engineering, Ningbo University of Technology, Ningbo 315211, China) ,  Zhuge Xia (School of Electronics and Information Engineering, Ningbo University of Technology, Ningbo 315211, China) ,  Luo Kan (Engineering Laboratory of Advanced Energy Materials, Ningbo Institute of Materials Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences, Ningbo 315201, China) ,  An Peng (School of Electronics and Information Engineering, Ningbo University of Technology, Ningbo 315211, China) ,  Du Shiyu (Engineering Laboratory of Advanced Energy Materials, Ningbo Institute of Materials Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences, Ningbo 315201, China)
資料名： Physics Letters. A  (Physics Letters. A)
巻： 384  号： 34  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0600B  ISSN： 0375-9601  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,欠陥を有するSiCジグザグナノリボンの電子構造とスピン輸送特性をスピン分極第一原理計算によって研究した。平行配置におけるジグザグSiCナノリボンデバイスの輸送チャネルはナノリボンのエッジに位置することが分かった。スピン電流は,特定のエッジ欠陥によってオンオフできる。逆平行配置に関しては,全てのSiCナノリボンデバイスは完全な二重スピンフィルタリング効果を示し,欠陥の位置に免疫した。透過スペクトル計算によって,これらの特異な効果の対応する機構を説明した。本研究の結果は,SiCナノリボンを有するスピンフィルタを開発するための有望な経路を示す。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電子構造 ,  フィルタリング ,  スピン分極 ,  *炭化ケイ素 ,  折れ線 ,  チャネル ,  第一原理
準シソーラス用語： 透過スペクトル ,  *ナノリボン ,  スピンフィルタ ,  スピン輸送 ,  第一原理計算 ,  スピン電流 ,  二重スピン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： SiC ,  スピン電流 ,  第一原理

分類 (4件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P) ,  炭素とその化合物  (YB02060D) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (5件)： スピン ,  ジグザグ ,  SiC ,  ナノリボン ,  欠陥