文献

J-GLOBAL ID：202002211870404006   整理番号：20A1072865

SiC MOSFETブリッジ構成のためのクロストーク抑制に関する支援ゲートドライバ回路【JST・京大機械翻訳】

Assist Gate Driver Circuit on Crosstalk Suppression for SiC MOSFET Bridge Configuration

著者 (7件)： Li Hui (State Key Laboratory of Power Transmission Equipment and System Security and New Technology, School of Electrical Engineering, Chongqing University, Chongqing, China) ,  Zhong Yi (State Key Laboratory of Power Transmission Equipment and System Security and New Technology, School of Electrical Engineering, Chongqing University, Chongqing, China) ,  Yu Renze (State Key Laboratory of Power Transmission Equipment and System Security and New Technology, School of Electrical Engineering, Chongqing University, Chongqing, China) ,  Yao Ran (State Key Laboratory of Power Transmission Equipment and System Security and New Technology, School of Electrical Engineering, Chongqing University, Chongqing, China) ,  Long Haiyang (State Key Laboratory of Power Transmission Equipment and System Security and New Technology, School of Electrical Engineering, Chongqing University, Chongqing, China) ,  Wang Xiao (State Key Laboratory of Power Transmission Equipment and System Security and New Technology, School of Electrical Engineering, Chongqing University, Chongqing, China) ,  Huang Zhangjian (NR Electric Co., Ltd., Nanjing, China)
資料名： IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics  (IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics)
巻： 8  号： 2  ページ： 1611-1621  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2402A  ISSN： 2168-6777  CODEN： IJESN2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 位相脚構成におけるクロストークは,従来のシリコン(Si)と比較して,それらのより低い閾値電圧とより高い許容可能な負のゲート電圧のために,炭化ケイ素(SiC)MOSFETの高いスイッチング速度性能を著しく制限する。SiC MOSFETの潜在的高速スイッチング速度品質を満たすために,負バイアスターンオフ電圧に基づくクロストーク抑制のための補助ゲートドライバ(AGD)回路を提案した。それは補助コンデンサと追加制御信号なしの2つの受動トランジスタを含んでいる。最初に,いくつかのSiCデバイスメーカーによる推奨ゲートドライバを導入して,クロストークの機構を解析した。次に,提案したAGD回路の動作原理を詳述し,主要素のパラメータ設計基準を与えた。最後に,LTspiceを用いたシミュレーションとWolfast 1200-V SiC MOSFET試験に基づく実験を用いて,提案したゲートドライバの有効性を検証した。シミュレーションと実験結果は,AGD回路が変化する動作条件の下でクロストーク抑制の優れた特性を有することを示した。このように,提案した回路は,より少ない複雑さを有する高dc電圧条件の下で,高速SiC MOSFETの迅速な要求を満たすことができた。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： コンデンサ ,  電圧 ,  トランジスタ ,  *MOSFET ,  炭化ケイ素 ,  位相 ,  *ゲート回路 ,  有効性 ,  制御信号 ,  *クロストーク
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  スイッチング速度 ,  パラメータ設計 ,  動作原理 ,  ゲート電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 電力変換器  (NB08030B)

タイトルに関連する用語 (6件)： SiC ,  MOSFET ,  ブリッジ ,  クロストーク ,  支援 ,  ゲートドライバ回路