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J-GLOBAL ID：202002211946238016   整理番号：20A0334457

二次元InTe/In_2Se_3ヘテロ構造におけるバンド整列の強誘電および双極子制御【JST・京大機械翻訳】

Ferroelectric and dipole control of band alignment in the two dimensional InTe/In₂Se₃ heterostructure

著者 (13件)： Zhou Bin (Technical Center for Multifunctional Magneto-Optical Spectroscopy (Shanghai), Department of Materials, School of Physics and Electronic Science, East China Normal University, Shanghai 200241, People’s Republic of China) ,  Gong Shi-Jing (Key Laboratory of Polar Materials and Devices (MOE), East China Normal University, Shanghai 200241, People’s Republic of China) ,  Jiang Kai (Technical Center for Multifunctional Magneto-Optical Spectroscopy (Shanghai), Department of Materials, School of Physics and Electronic Science, East China Normal University, Shanghai 200241, People’s Republic of China) ,  Xu Liping (Technical Center for Multifunctional Magneto-Optical Spectroscopy (Shanghai), Department of Materials, School of Physics and Electronic Science, East China Normal University, Shanghai 200241, People’s Republic of China) ,  Zhu Liangqing (Technical Center for Multifunctional Magneto-Optical Spectroscopy (Shanghai), Department of Materials, School of Physics and Electronic Science, East China Normal University, Shanghai 200241, People’s Republic of China) ,  Shang Liyan (Technical Center for Multifunctional Magneto-Optical Spectroscopy (Shanghai), Department of Materials, School of Physics and Electronic Science, East China Normal University, Shanghai 200241, People’s Republic of China) ,  Li Yawei (Technical Center for Multifunctional Magneto-Optical Spectroscopy (Shanghai), Department of Materials, School of Physics and Electronic Science, East China Normal University, Shanghai 200241, People’s Republic of China) ,  Hu Zhigao (Technical Center for Multifunctional Magneto-Optical Spectroscopy (Shanghai), Department of Materials, School of Physics and Electronic Science, East China Normal University, Shanghai 200241, People’s Republic of China) ,  Hu Zhigao (Collaborative Innovation Center of Extreme Optics, Shanxi University, Taiyuan, Shanxi 030006, People’s Republic of China) ,  Hu Zhigao (Shanghai Institute of Intelligent Electronics & Systems, Fudan University, Shanghai 200433, People’s Republic of China) ,  Chu Junhao (Technical Center for Multifunctional Magneto-Optical Spectroscopy (Shanghai), Department of Materials, School of Physics and Electronic Science, East China Normal University, Shanghai 200241, People’s Republic of China) ,  Chu Junhao (Collaborative Innovation Center of Extreme Optics, Shanxi University, Taiyuan, Shanxi 030006, People’s Republic of China) ,  Chu Junhao (Shanghai Institute of Intelligent Electronics & Systems, Fudan University, Shanghai 200433, People’s Republic of China)
資料名： Journal of Physics. Condensed Matter  (Journal of Physics. Condensed Matter)
巻： 32  号： 5  ページ： 055703 (8pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0914B  ISSN： 0953-8984  CODEN： JCOMEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元(2D)強誘電体材料は,それらの非自明な強誘電性により成長する注目を集めており,調整可能な電子,光電子,または磁気特性をもつ2D強誘電ヘテロ構造は,その構成成分に存在しない多くの新しい性質を示す。本研究では,第一原理計算を用いて,2D強誘電体ヘテロ構造InTeIn_2Se_3の電子構造の強誘電および双極子制御を調べた。バンド配列はIn_2Se_3の強誘電分極に密接に依存することが分かった。In_2Se_3の分極を切り替えることにより,InTeIn_2Se_3のバンド配列はスタッガード(タイプII)からストラダリング型(タイプI)にスイッチし,バンドギャップは間接ギャップ0.76eVから直接ギャップ0.15eVに変化した。In_2Se_3の強誘電場が逆になると,InTeIn_2Se_3のバンド配列はI型からII型に変化し,バンドギャップは間接ギャップ0.76eVから直接ギャップ0.15eVに変化した。さらに,層間双極子はバンド構造を効果的に変調し,タイプIからタイプIIのバンドアラインメント遷移を誘起することを見出した。今回の結果は,可変同調可能なバンド配列とバンドギャップを有する2D強誘電体ヘテロ構造が光電子デバイスにおいて非常に重要であることを示した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *二次元 ,  光電子 ,  磁気的性質 ,  強誘電性 ,  バンド構造 ,  バンドギャップ ,  強誘電体 ,  電子構造 ,  *双極子
準シソーラス用語： 光電子デバイス ,  可変同調 ,  強誘電分極 ,  第一原理計算 ,  *バンドアライメント ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J)

タイトルに関連する用語 (3件)： ヘテロ構造 ,  バンド整列 ,  双極子