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J-GLOBAL ID:202002212074332260   整理番号:20A0125330

カーボンナノチューブ系電界放出デバイスに及ぼす膜厚効果の研究【JST・京大機械翻訳】

Study of film thickness effect on carbon nanotube based field emission devices
著者 (7件):
資料名:
巻: 816  ページ: Null  発行年: 2020年 
JST資料番号: D0083A  ISSN: 0925-8388  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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カーボンナノチューブ(CNT)は,長い間,電界放出応用のための理想的なカソード材料と考えられてきた。電界放出特性を改善するために,複合陰極を形成するための被覆CNT膜は有効な方法である。しかし,被覆層の厚さの影響を調べ,明らかにした報告はほとんどない。そこで,本研究では,被覆膜厚を正確に制御する能力を持つCNTカソードを被覆するためにAu層を用い,CNT複合電界放出デバイスの電界放出特性に及ぼす膜厚効果を系統的に調べた。電界放出性能とカソード膜厚との間の非単調な関係を観測し,3nmのAu層厚をもつCNT複合カソードに対して,0.60V/μmのかなり低いターンオン電界と20000に近い超高磁場増強因子をもつ高性能を最適に実証した。実験データと解析に基づいて,非単調傾向は主に有効電界エミッタ密度に起因し,カソード伝導率は極薄膜に対してのみ作用することが分かった。さらに,CNT複合カソードは低い熱接触抵抗に対して良好な安定性と均一性を有していた。適切なAu層で構成されたCNTカソードの優れた性能は真空電子デバイスへの応用の可能性を示し,被覆層の最適化された厚さは複合カソードの電界放出増強に重要であった。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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熱電子放出,電界放出 
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