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J-GLOBAL ID：202002212359481104   整理番号：20A2553401

中電圧,高dv/dtPWMコンバータのための低結合容量の高調波フィルタ【JST・京大機械翻訳】

Harmonic filter with low coupling capacitance for Medium Voltage, high dv/dt PWM converters

著者 (4件)： Pawaskar Vaibhav Uttam (The University of Texas at Dallas,Department of Electrical Engineering,Texas,USA) ,  Nguyen Van Thuan (The University of Texas at Dallas,Department of Electrical Engineering,Texas,USA) ,  Gohil Ghanshyamsinh (The University of Texas at Dallas,Department of Electrical Engineering,Texas,USA) ,  Balsara Poras T. (The University of Texas at Dallas,Department of Electrical Engineering,Texas,USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： ECCE  ページ： 3245-3252  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新たな媒体電圧(MV)シリコンカーバイド(SiC)10kV MOSFETは,低いオン状態抵抗を持ち,非常に高いスイッチング速度が可能である。結果として,高効率でコンパクトなMV電力変換システムを,これらのデバイスを用いて実現することができ,多くの既存および新しい高出力応用に対して望ましい。しかし,MVの非常に高いスイッチング速度では,スイッチング遷移時に非常に高いdV/dtを導いた。これは,フィルタ成分の寄生容量が高周波電流の経路を提供するので,回路寄生に対する注目の増加をもたらす。したがって,非常に高いdV/dt操作は,厳しい実行電気Mangnetic干渉(EMI)基準を満たすため,フィルタ部品の寄生容量に厳密な要求を課す。MV電力変換におけるフィルタインダクタの寄生容量を低減するための設計方法論を提案した。寄生容量の解析モデルを開発し,インピーダンスアナライザによる実際の値測定とともに有限要素解析と比較した。また,インダクタ性能を,XHV-9モジュールベースパワーエレクトロニクスビルブロック(PEBB)を用いて実験的に評価した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： インピーダンス ,  干渉 ,  *電圧 ,  MOSFET ,  炭化ケイ素 ,  媒質 ,  分析機器 ,  漂遊容量 ,  解析モデル ,  電力変換
準シソーラス用語： 有限要素解析 ,  高効率 ,  高周波電流 ,  スイッチング速度 ,  *中電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (3件)： 中電圧 ,  結合容量 ,  高調波フィルタ