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J-GLOBAL ID:202002212487163135   整理番号:20A1125643

フレキシブルエレクトロニクスのためのZnOに基づくSchottky障壁ダイオードの作製【JST・京大機械翻訳】

Fabrication of Schottky barrier diodes based on ZnO for flexible electronics
著者 (7件):
資料名:
巻: 31  号: 10  ページ: 7373-7377  発行年: 2020年 
JST資料番号: W0003A  ISSN: 0957-4522  CODEN: JMTSAS  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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フレキシブル基板上の電子デバイスの製造は,新しい応用のための非常に興味深いアプローチになっている。しかし,完全な技術的製造手順を実行する可能性は,フレキシブル基板の熱特性に対して制限されている。本論文では,3つの異なる温度でのソルボサーマル過程による酸化亜鉛ナノ粒子の合成を示した。ソルボサーマル過程により異なる温度で合成したナノ粉末をX線回折,UV-Vis分光法,走査電子顕微鏡,SEMにより特性化した。キャラクタリゼーションの結果,ZnO粉末は六方晶系ウルツ鉱型構造を示し,バンドギャップは3.28eV付近にあり,粒子サイズは温度が上昇するにつれて減少することが分かった。さらに,ポリエチレンテレフタレート(PET)基板上の酸化亜鉛ナノ粒子に基づくSchottky障壁ダイオードの作製を示した。ダイオード作製に用いた最大温度は150°Cで,フレキシブル基板に適合した。作製したダイオードの電気的特性化は主な伝導機構として熱電子放出を示した。完全ダイオードパラメータを逆および順方向電流-電圧特性から抽出した。抽出したパラメータは障壁高さ~0.54eV,直列抵抗660Ω,理想因子5.6であった。Copyright Springer Science+Business Media, LLC, part of Springer Nature 2020 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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ダイオード 
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