溶媒和によって誘起された半導体から金属への転移  半導性KBi中の金属性KBi_2H_3対[数式:原文を参照][Bi_1-]ヘリックスにおける平坦な[数式:原文を参照][Bi_1-]ジグザグ鎖【JST・京大機械翻訳】

Mayer Kerstin; Dums Jasmin V.; Benda Christian B.; Klein Wilhelm; Faessler Thomas F.

文献

J-GLOBAL ID：202002212496266598 整理番号：20A0839689

溶媒和によって誘起された半導体から金属への転移半導性KBi中の金属性KBi_2H_3対[数式:原文を参照][Bi_1-]ヘリックスにおける平坦な[数式:原文を参照][Bi_1-]ジグザグ鎖【JST・京大機械翻訳】

Solvate-Induced Semiconductor to Metal Transition: Flat [Formula : see text][Bi^1-] Zigzag Chains in Metallic KBi・NH₃ versus [Formula : see text][Bi^1-] Helices in Semiconducting KBi

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資料名：
巻： 59 号： 17 ページ： 6800-6805 発行年： 2020年
JST資料番号： H0127B ISSN： 1433-7851 CODEN： ACIEAY 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：ドイツ (DEU) 言語：英語 (EN)

高分子[数式:原文を参照][Bi]-は,KBi NH_3が二つの結合したBi原子と金属的性質を有する平面ジグザグ鎖を有するが,Bi原子の螺旋鎖を有するKBiは半導体である。Bi鎖の異性化は溶媒和分子によって誘起される。新しい層状溶媒和構造において,非荷電[数式:原文を参照][KBi]層はインターカレートNH_3分子により分離される。これらの層は,Si原子のジグザグ鎖の平面性から金属的性質が生じる,iso(価電子)電子CaSiの構造的なエクセルである。計算研究はこの見解を支持し,Bi鎖に沿った異方性金属挙動を示した。Electronの非局在化は,K_2[K(18-クラウン-6)]_2[Bi_6]_9NH_3中で単離された新しい環状アニオン[Bi_6]4-においても見いだされた。[Bi_6]4-は1つの局在二重結合を示すが,電子非局在化はより軽い同族体[P_6]4-と[As_6]4-に類似して観察される。両化合物を単結晶X線構造決定により特性化した。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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無機化合物一般及び元素 , その他の無機化合物の結晶構造

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溶媒和によって誘起された半導体から金属への転移 半導性KBi中の金属性KBi_2H_3対[数式:原文を参照][Bi_1-]ヘリックスにおける平坦な[数式:原文を参照][Bi_1-]ジグザグ鎖【JST・京大機械翻訳】

溶媒和によって誘起された半導体から金属への転移半導性KBi中の金属性KBi_2H_3対[数式:原文を参照][Bi_1-]ヘリックスにおける平坦な[数式:原文を参照][Bi_1-]ジグザグ鎖【JST・京大機械翻訳】