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J-GLOBAL ID：202002212502197408   整理番号：20A2217182

光起電力応用のためのSをドープしたペロブスカイトSrHfO_3化合物の物理的性質:ab initio研究【JST・京大機械翻訳】

Physical properties of perovskite SrHfO₃ compound doped with S for photovoltaic applications: the ab initio study

著者 (4件)： Zitouni H. (Laboratory of Condensed Matter and Interdisciplinary Sciences, Faculty of Sciences, Mohammed V University in Rabat, Rabat, Morocco) ,  Tahiri N. (Laboratory of Condensed Matter and Interdisciplinary Sciences, Faculty of Sciences, Mohammed V University in Rabat, Rabat, Morocco) ,  El Bounagui O. (LPHE-MS, Faculty of Sciences, Mohammed V University in Rabat, Rabat, Morocco) ,  Ez-Zahraouy H. (Laboratory of Condensed Matter and Interdisciplinary Sciences, Faculty of Sciences, Mohammed V University in Rabat, Rabat, Morocco)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 126  号： 10  ページ： 800  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ペロブスカイト型酸化物SrHfO_3は,その特性のおかげで,過去数年間,大きな科学者の興味を持ち,これは,光起電力分野応用に焦点を当て,この技術が,その誕生以来,特定のギャップ値を有する半導体の使用に基づいており,これは,ギャップ値が,パネルの効率に影響する重要な要素であることを示す。本研究の目的は,ドーピングSrHfO_3-xS_x(x=0%,8%および16%)の異なる割合および密度汎関数理論(DFT)を用いたSの全割合の電子および光学特性の決定によるギャップ値の低減に基づいている。その結果,Sの16%に相当するSの0%に相当する5.60eVから2.09eVまでのギャップ値を減少させ,バンドギャップはSの8%と16%のSの0%に相当する間接バンドギャップから,Sの8%と16%まで変化する。Copyright Springer-Verlag GmbH Germany, part of Springer Nature 2020 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光学的性質 ,  *光起電力 ,  半導体 ,  酸化物 ,  *ドーピング ,  密度汎関数法 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 間接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ペロブスカイト型SrHfO_3化合物 ,  太陽電池 ,  バンドギャップエネルギー ,  光学特性

分類 (2件)： 光物性一般  (BM08010A) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 光起電力 ,  応用 ,  ドープ ,  ペロブスカイト ,  物理的性質 ,  研究