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J-GLOBAL ID：202002212634576919   整理番号：20A0978816

バナジウムドープZnOの成長,電気的性質および結晶性に及ぼすZnOバッファ層の影響【JST・京大機械翻訳】

Effects of ZnO buffer layers on growth, electrical properties and crystallinity of vanadium-doped ZnO

著者 (4件)： Okada Takeru (Department of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Tohoku University, 6-6-05 Aza-Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai, Miyagi 980-8579, Japan) ,  Kawashima Tomoyuki (Department of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Tohoku University, 6-6-05 Aza-Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai, Miyagi 980-8579, Japan) ,  Mori Tatsuya (Department of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Tohoku University, 6-6-05 Aza-Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai, Miyagi 980-8579, Japan) ,  Washio Katsuyoshi (Department of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Tohoku University, 6-6-05 Aza-Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai, Miyagi 980-8579, Japan)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 701  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 透明導電性酸化物は光電子デバイス応用の分野で多くの注目を集めている。これらの材料の中で,バナジウムをドープした酸化亜鉛はその圧電性,透明性および電気伝導性に対して独特である。本論文では,バナジウムドープ酸化亜鉛の形成に及ぼす酸化亜鉛バッファ層の影響を調べた。10nmより厚い酸化亜鉛バッファ層は配向した結晶構造を有し,界面で電気的に不活性な層を還元することにより高度に配向したバナジウムドープ酸化亜鉛の形成を促進することを見出した。著者らの研究は,適切な条件下でバッファ層を導入することにより,亜鉛酸化物ベースの導電性膜を形成できることを示した。これらの結果は透明導電性材料の工業的応用に重要な情報を提供する。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  結晶構造 ,  電気的性質 ,  *バナジウム ,  *酸化亜鉛 ,  *ドーピング ,  *結晶度 ,  導体材料 ,  *バッファ層 ,  導電性
準シソーラス用語： 圧電特性 ,  透明性 ,  透明導電性酸化物 ,  導電膜 ,  光電子デバイス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 透明導電性酸化物 ,  酸化亜鉛 ,  バナジウムをドープした酸化亜鉛

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： バナジウム ,  ドープ ,  ZnO ,  成長 ,  電気的性質 ,  結晶性 ,  バッファ層