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J-GLOBAL ID：202002212644913704   整理番号：20A0432490

n+/p Ge接合に対するリン拡散と活性化に及ぼすN_2共注入の影響【JST・京大機械翻訳】

Impact of N₂ Coimplant on Phosphorus Diffusion and Activation for n⁺/p Ge Junctions

著者 (4件)： Dev Sachin (Department of Electrical Engineering, IIT Bombay, Mumbai, India) ,  Pradhan Nilay (Applied Materials, Varian Semiconductor Equipment, Gloucester, MA, USA) ,  Variam Naushad (Applied Materials, Varian Semiconductor Equipment, Gloucester, MA, USA) ,  Lodha Saurabh (Department of Electrical Engineering, IIT Bombay, Mumbai, India)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 67  号： 2  ページ： 419-423  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 浅いソース/ドレイン(S/D)接合は,先端CMOS技術ノードにおけるスケールFETの実現に重要である。本論文では,窒素(N_2)の同時注入によるアニーリング中のゲルマニウム(Ge)中のリン(P)拡散の抑制を実証した。さらに,ドーパント(P)拡散に及ぼすN_2注入エネルギーと線量の影響を提示した。ドーパント拡散はN_2注入エネルギーと線量の増加により抑制されることを示した。しかし,接合深さの減少はドーパント不活性化のコストに起因する。本論文では,合理的なドーパント活性化による接合深さの大幅な低減を提供する最適化されたインプラント条件を示した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 最適化 ,  *リン ,  接合 ,  不活性化 ,  放射線量 ,  焼なまし ,  ドーパント
準シソーラス用語： CMOS技術 ,  共注入 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： Ge ,  リン ,  拡散 ,  活性化 ,  共注入