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J-GLOBAL ID：202002213085705050   整理番号：20A0457705

集光照明下のInGaP/InGaAs/Geサブセルの冷却温度の数値研究【JST・京大機械翻訳】

Numerical Investigation of the Cooling Temperature of the InGaP/InGaAs/Ge Subcells Under the Concentrated Illumination

著者 (4件)： Djermane Kenza (Department of Science of Matter, The Semi-Conductor Device Physics Laboratory, (LPDS) Bechar University, P.O.B no 417, Bechar 08000, Algeria) ,  Kadri Syham (Department of Science of Matter, The Semi-Conductor Device Physics Laboratory, (LPDS) Bechar University, P.O.B no 417, Bechar 08000, Algeria) ,  Habbab Abdelhafid (Department of Science of Matter, The Semi-Conductor Device Physics Laboratory, (LPDS) Bechar University, P.O.B no 417, Bechar 08000, Algeria) ,  Bourbaba Elhouaria (Department of Science of Matter, The Semi-Conductor Device Physics Laboratory, (LPDS) Bechar University, P.O.B no 417, Bechar 08000, Algeria)
資料名： Zeitschrift fuer Naturforschung A  (Zeitschrift fuer Naturforschung A)
巻： 75  号： 2  ページ： 93-101  発行年： 2020年 
JST資料番号： E0440A  ISSN： 0932-0784  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多接合太陽電池性能研究は高濃度太陽光発電の設計に不可欠である。これらのセルは広い範囲の入射放射フラックスと広い温度範囲で動作できる。これらの2つのパラメータ(濃度と温度)はセルを劣化させ,冷却システムを必要とする。本論文では,集光照射下でのInGaP/InGaAs/Geサブセルの冷却温度を数値的に調べた。このために,温度と濃度太陽光の関数として各サブセルの性能を示した。異なる高濃度比(1,10,100および1000太陽)を,3つの温度値T=300,500および800Kに対して,ディッシュスタイル濃度光起電力システムに従って実施した。結果は,高集光光強度変換の下で,これらの3つのサブセル(効率,開回路電圧,短絡電流,および充填因子)の性能が温度の上昇とともに減少することを示した。本研究の主目的は,冷却システムを導入するために各サブセルの限界温度を見出すことである。したがって,集光照明下でのタンデム太陽電池の劣化を避けることができる。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 照明 ,  冷却系機器 ,  太陽放射 ,  太陽 ,  短絡電流 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  有限要素法 ,  太陽光発電 ,  放射線束 ,  光起電力 ,  *集光 ,  太陽光 ,  太陽電池
準シソーラス用語： 開回路電圧 ,  タンデム太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 冷却セル ,  ディッシュスタイル濃度 ,  有限要素法 ,  多重接合太陽電池 ,  太陽放射

分類 (2件)： 不均質流  (BC02060J) ,  多成分系の相平衡・状態図一般  (CB03014B)

タイトルに関連する用語 (10件)： 集光 ,  照明 ,  InGaP ,  InGaAs ,  Ge ,  サブ ,  セル ,  冷却温度 ,  数値 ,  研究