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J-GLOBAL ID：202002213135618157   整理番号：20A0394646

熱活性化遅延蛍光発光体に基づく白色有機発光ダイオードのエレクトロルミネセンス性能に及ぼす発光層構造の影響【JST・京大機械翻訳】

Effects of the emission layer structure on the electroluminescence performance of the white organic light emitting diodes based on thermally activated delayed fluorescence emitters

著者 (6件)： Mu Haichuan (Department of Physics, School of Science, East China University of Science and Technology, 130 Meilong Road, Shanghai 200237, People’s Republic of China) ,  Wang Dingshu (Department of Physics, School of Science, East China University of Science and Technology, 130 Meilong Road, Shanghai 200237, People’s Republic of China) ,  Wang Ruibin (Instrumental Analysis Center, Shanghai JiaoTong University, 800 Dongchuan Road, Shanghai 200240, People’s Republic of China) ,  Qian Min (Department of Physics, School of Science, East China University of Science and Technology, 130 Meilong Road, Shanghai 200237, People’s Republic of China) ,  Xie Haifen (Department of Physics, School of Science, East China University of Science and Technology, 130 Meilong Road, Shanghai 200237, People’s Republic of China) ,  Yao Mengqiang (Department of Physics, School of Science, East China University of Science and Technology, 130 Meilong Road, Shanghai 200237, People’s Republic of China)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 53  号： 6  ページ： 065106 (15pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 青色,緑色および赤色熱活性化遅延蛍光(TADF)エミッタを用いた白色有機発光ダイオード(WOLED),4CzIPN(G)および4CzTN-Ph(R)を作製し,エレクトロルミネセンス(EL)性能に及ぼすEML厚みおよび4CzTPN-Ph(R)ドーパント濃度を含むEML構造の影響を調べた。G(20nm)/B(10nm)の単純なEML構造を持つWOLEDは,最大電力効率(PE)が約16lm/W,演色指数(CRI)が81であることが分かった。一方,R:g/B EMLはG/R/B EMLよりも優れたEL性能を示した。特に,EML厚さと4CzTPN-Ph(R)ドーパント濃度の慎重な変調により,R(1wt%):g(20nm)/B(10nm)EMLに対して,最大PEが約13lm/Wと共に90の著しい高いCRIを得ることができ,非ドープTADFエミッタベースのWOLEDに対するEL効率とCRIのバランスの達成を示した。その上,G(20nm)/R(0.1nm)とG(20nm)/R(0.1nm)/B(10nm)の積層EMLは,R(1wt%):g(20nm)とR(1wt%):g(20nm)/B(10nm)の混合EMLと比較してはるかに深刻な妨害を示し,EL性能の劣化をもたらすサンドイッチ0.1nm4CzTPN-Ph(R)層からのより強い消光効果を意味した。異なるエネルギー移動経路をR(1wt%):g(20nm)/B(10nm)とG(20nm)/R(0.1nm)/B(10nm)EMLの過渡光ルミネセンス減衰動力学に基づいて導出し,サンドイッチ4CzTPN-Ph(R)超薄層が重要であることを見出した。このようなEML構造依存EL性能の原因となる減衰動力学を詳細に検討した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 薄膜 ,  *エレクトロルミネセンス ,  ドーパント ,  光ルミネセンス ,  エネルギー移動 ,  演色 ,  ドーピング ,  消光
準シソーラス用語： *発光層 ,  *有機EL素子 ,  *発光体 ,  *熱活性化遅延蛍光 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 有機化合物のルミネセンス  (BM08094A) ,  無機化合物のルミネセンス  (BM08093J) ,  非線形光学  (BD05000T) ,  金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 熱活性化遅延蛍光 ,  発光体 ,  白色 ,  有機発光ダイオード ,  エレクトロルミネセンス ,  発光層