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J-GLOBAL ID：202002213515931777   整理番号：20A0950871

InAsウエハの再利用によるスマートカットプロセスによる高品質InAs-on-Lnsulator構造の作製【JST・京大機械翻訳】

Fabrication of High Quality InAs-on-Lnsulator Structures by Smart Cut Process with Reuse of InAs Wafers

著者 (6件)： Sumita Kei (The University of Tokyo,7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo,Japan) ,  Takeyasu Jun (The University of Tokyo,7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo,Japan) ,  Kato Kimihiko (The University of Tokyo,7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo,Japan) ,  Toprasertpong Kasidit (The University of Tokyo,7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo,Japan) ,  Takenaka Mitsuru (The University of Tokyo,7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo,Japan) ,  Takagi Shinichi (The University of Tokyo,7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo,Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： 3DIC  ページ： 1-2  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InAsオン絶縁体構造をSmart Cutプロセスにより作製し,膜品質の劣化なしにドナーInAsウエハの再利用性も実証した。InAs-OI品質に及ぼす注入プロセスにより誘起された損傷を回復すると期待される熱アニーリングの効果を研究した。500°CでのアニーリングはRamanスペクトルと電子移動度の観点から結晶度を回復するのに有効であることを示した。元のInAsウエハと再利用したInAsウエハで作製したInAs-OI間の差は観測されなかった。結果として,再使用プロセスにより作製した140nm厚(111)InAs-OIは,6500cm~2/Vsの電子Hall移動度と6個の10~17cm~3のキャリア密度を有することを示した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Hall移動度 ,  Ramanスペクトル ,  焼なまし ,  ドナー ,  *ヒ化インジウム ,  結晶度 ,  キャリア密度 ,  再利用 ,  絶縁体
準シソーラス用語： 電子移動度 ,  高品質 ,  熱アニーリング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 専用演算制御装置  (JC04030Y) ,  音声処理  (JE05000E) ,  符号理論  (ND02030R)

タイトルに関連する用語 (4件)： InAs ,  ウエハ ,  高品質 ,  作製