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J-GLOBAL ID：202002213603349347   整理番号：20A0517948

蒸着Sn膜の硫化によるSnS₂薄膜のバイオセンサ応用

Biosensor application of SnS₂ thin film by sulfurization of evaporated Sn film

著者 (2件)： 田村優樹 (静岡大 大学院総合科学技術研究科) ,  中村篤志 (静岡大 大学院総合科学技術研究科)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 119  号： 385(EID2019 7-19)  ページ： 89-92  発行年： 2020年01月16日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本研究では,CVD装置を用いて,Sn膜の硫化温度を変えることによりSnS₂が成膜される条件について調査を行った.その結果,硫化温度が280°C~400°CでSnS₂を得ることができた.そこから得られたSnS₂薄膜をpHセンサとして応用しIV特性を評価した.センサの評価には拡張ゲート型電界効果トランジスタ(EGFET)により評価を行った.これをpHセンサとして評価したところ,感度17.1mV/pH,直線性99.97%を示した.(著者抄録)

シソーラス用語： *バイオセンサ ,  *スズ化合物 ,  *硫化物 ,  半導体薄膜 ,  硫化 ,  化学蒸着 ,  pHセンサ ,  電流電圧特性 ,  FET【トランジスタ】 ,  表面電位 ,  Raman分光法

分類 (1件)： 計測機器一般  (AD02000X)

引用文献 (5件)：

• Deblina Sarkar, Wei Liu, Xuejun Xie, Aaron C. Anselmo, Samir Mitragotori and Kaustav Banerjee, ′′MoS2 Field-Effect Transistor for Next-Generation Label-Free Biosensors′′, ACS Nano, 8, 4, pp3992-4003, (2014)
• Chongyin Yang, Wendeng Wang, Zhichao Shan and Fuqiang Huang, ′′Preparation and photocatalytic of high-efficiency visible-light-responsive photocatalyst SnS_x/TiO₂′′, Journal of Solid Chemistry, 182, pp807-812, (2009)
• Li-Te Yin, Jung-Chuan Chou, Wen-Yaw Chung, Tai-Ping Sun and Shen-Kan Hsiung, ′′Separate structure extended gate H⁺-ion sensitive field effect transistor on a glass substrate′′, Sensors and Actuators B, 71, pp106-111, (2000)
• P. D. Batista, M. Mulato, C. F. de O. Graeff, F. J. R. Fernandez, and F. das C. Marques, ′′ SnO₂ extended gate field-effect transistor as pH sensor′′, Brazilian Jornal of Physics, 36, pp1678-4448, (2006)
• Ji-Hoon Ahn, Myoung-Jae Lee, Hoseok Heo, Ji Ho Sung, Kyungwook Kim, Hyein Hwang and Moon-Ho Jo, ′′Deterministic Two-Dimensional Polymorphism Growth of Hexagonal n-Type SnS₂ and Orthorhombic p-Type SnS Crystals′′, Nano Lett, 15, pp3703-3708, (2015)

タイトルに関連する用語 (6件)： 蒸着 ,  Sn ,  硫化 ,  薄膜 ,  バイオセンサ ,  応用