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J-GLOBAL ID：202002213810767913   整理番号：20A1486847

SiCアバランシェダイオードによる固体スナバのサージ抑制性能の増強【JST・京大機械翻訳】

Enhancement of Surge-Suppression Performance of a Solid-State Snubber by a SiC Avalanche-Diode

著者 (3件)： Koseki Kunio (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST),Advanced Power Electronics Research center,Tsukuba,Japan) ,  Yamamoto Masayuki (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST),Advanced Power Electronics Research center,Tsukuba,Japan) ,  Tanaka Yasunori (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST),Advanced Power Electronics Research center,Tsukuba,Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： APEC  ページ： 2548-2553  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンカーバイド(SiC)p-n接合ダイオードによる固体スナバーを作製し,半導体デバイスのターンオフ過渡時のサージ電圧の妨害効果を抑制した。運転性能をステップダウンDC/DCコンバータで実験的に評価した。その結果,スイッチング素子(金属酸化物半導体電界効果トランジスタ,MOSFET)と固体スナバー間の配線インダクタンスがサージ抑制性能を制限することが分かった。MOSFETと固体スナバを同じ基板上に連続的に実装する共パッケージを開発し,寄生インダクタンスの影響を緩和する。コパック構成におけるサージ抑制性能の劇的な増強を得た。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *アバランシェダイオード ,  インダクタンス ,  半導体素子 ,  走行性能 ,  配線 ,  FET【トランジスタ】 ,  MOSFET ,  スイッチング素子 ,  *炭化ケイ素 ,  接合ダイオード ,  *スナバ回路 ,  DC-DCコンバータ ,  ターンオフ
準シソーラス用語： 寄生インダクタンス ,  サージ電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： SiC ,  アバランシェダイオード ,  固体 ,  スナバ ,  増強