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J-GLOBAL ID：202002213908261846   整理番号：20A0866258

1200V 4H-SiCトレンチJBSダイオードの研究と開発【JST・京大機械翻訳】

Research and Development of 1200V 4H-SiC Trench JBS Diode

著者 (20件)： Li Jialin (State Key Laboratory of Advanced Power Transmission Technology, Beijing 102209) ,  Li Jialin (Global Energy Interconnection Research Institute Co., Ltd., Beijing, 102209) ,  Tian Liang (State Key Laboratory of Advanced Power Transmission Technology, Beijing 102209) ,  Tian Liang (Global Energy Interconnection Research Institute Co., Ltd., Beijing, 102209) ,  Li Ling (State Key Laboratory of Advanced Power Transmission Technology, Beijing 102209) ,  Li Ling (Global Energy Interconnection Research Institute Co., Ltd., Beijing, 102209) ,  Zhang Hongdan (State Key Laboratory of Advanced Power Transmission Technology, Beijing 102209) ,  Zhang Hongdan (Global Energy Interconnection Research Institute Co., Ltd., Beijing, 102209) ,  Zhu Tao (State Key Laboratory of Advanced Power Transmission Technology, Beijing 102209) ,  Zhu Tao (Global Energy Interconnection Research Institute Co., Ltd., Beijing, 102209) ,  Jiao Qianqian (State Key Laboratory of Advanced Power Transmission Technology, Beijing 102209) ,  Jiao Qianqian (Global Energy Interconnection Research Institute Co., Ltd., Beijing, 102209) ,  Wu Hao (State Key Laboratory of Advanced Power Transmission Technology, Beijing 102209) ,  Wu Hao (Global Energy Interconnection Research Institute Co., Ltd., Beijing, 102209) ,  Liu Rui (State Key Laboratory of Advanced Power Transmission Technology, Beijing 102209) ,  Liu Rui (Global Energy Interconnection Research Institute Co., Ltd., Beijing, 102209) ,  Jiang Chunyan (State Key Laboratory of Advanced Power Transmission Technology, Beijing 102209) ,  Jiang Chunyan (Global Energy Interconnection Research Institute Co., Ltd., Beijing, 102209) ,  Sun Junmin (State Key Laboratory of Advanced Power Transmission Technology, Beijing 102209) ,  Sun Junmin (Global Energy Interconnection Research Institute Co., Ltd., Beijing, 102209)
資料名： IOP Conference Series: Materials Science and Engineering  (IOP Conference Series: Materials Science and Engineering)
巻： 782  号： 3  ページ： 032081 (7pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： W5559A  ISSN： 1757-8981  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,1200V SiCトレンチ接合障壁Schottky(JBS)ダイオードの設計と製造プロセスを紹介し,ダイオードの性能を試験した。ダイオード構造のセルとターミナルは両方ともトレンチ構造を採用して,シミュレーションと初期段階によって,デバイスセルとターミナル構造の構造パラメータを決定して,1200V SiCトレンチJBSダイオードの製造は,完全な技術的プロセスを通して完成した。試験結果は,電流が20A,順方向電圧降下が1.53Vであるとき,室温における1200Vの下の装置の漏れ電流が約0.36uAであることを示した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電流 ,  *ダイオード ,  電圧降下 ,  構造パラメータ ,  *炭化ケイ素 ,  接合 ,  生産工程 ,  漏れ電流
準シソーラス用語： トレンチ ,  *4H-SiC , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (5件)： 4H-SiC ,  トレンチ ,  ダイオード ,  研究 ,  開発