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J-GLOBAL ID：202002213917819683   整理番号：20A0329862

青色リン-WX_2(X=S/Se/Te)垂直ヘテロ構造の歪調整可能なバンド整列:第一原理研究から【JST・京大機械翻訳】

Strain-tunable band alignment of blue phosphorus-WX₂ (X = S/Se/Te) vertical heterostructures: from first-principles study

著者 (5件)： Li Honglin (College of Physics and Electronic Engineering, Chongqing Normal University, Chongqing, People’s Republic of China) ,  Cui Yuting (College of Physics and Electronic Engineering, Chongqing Normal University, Chongqing, People’s Republic of China) ,  Li Wanjun (College of Physics and Electronic Engineering, Chongqing Normal University, Chongqing, People’s Republic of China) ,  Ye Lijuan (College of Physics and Electronic Engineering, Chongqing Normal University, Chongqing, People’s Republic of China) ,  Mu Lin (College of Physics and Electronic Engineering, Chongqing Normal University, Chongqing, People’s Republic of China)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 126  号： 2  ページ： 92  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元(2D)材料研究の範囲において,青色リン(BP)は,理論的に熱安定性であることが証明された後,実験で成功裏に合成された新しいグラフェン様層状構造である。これらの2D構造化機能材料は,それらの独特の特徴のための次世代ナノスケール電子デバイスにおいて大きな可能性を有している。ここでは,van der Waals力(vdW)相互作用に基づいてBPと単層WX_2(X=S/Se/Te)を合成し,明確なタイプIIバンド配列ヘテロ構造を得た。系統的な理論的研究を行い,歪を適用した後のBP-WX_2ヘテロ構造の層間結合効果とバンドの再配列を調べた。今日では,多くの研究は,2D材料が汚染物質を分解するために使用できるか,または高性能を得るための潜在的な太陽電池材料として使用できることを証明した。ここでは,バンドアラインメントとキャリア分離に関する理論的枠組みを作るために,BPとWX_2(X=S/Se/Te)を異なる角度にねじれた。自立BPとWX_2の電子的性質は,対応するヘテロ構造においてほぼ保存できることを明らかにした。歪を適用すると,バンドアラインメントは外部歪を変化させることにより著しい調整安定性を示す。ヘテロ構造はある種の歪範囲でタイプIIであり,その中でキャリアは空間的に効果的に分離できる。これらのヘテロ構造は,ある種の歪を課すと半導体から金属への遷移を起こす。本研究は,ヘテロ構造の構築に深い洞察を提供するだけでなく,柔軟で実行可能で,多様な応用のために使用できる歪工学の新しい可能性を提示した。Copyright Springer-Verlag GmbH Germany, part of Springer Nature 2020 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 二次元 ,  ヘテロ接合 ,  機能材料 ,  熱安定性 ,  太陽電池 ,  汚染物質 ,  グラフェン ,  単一層 ,  相互作用 ,  半導体 ,  第一原理 ,  層状組織 ,  *リン
準シソーラス用語： ナノデバイス ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 青色リン ,  ヘテロ接合 ,  第一原理

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (10件)： 青色 ,  リン ,  Se ,  Te ,  垂直 ,  ヘテロ構造 ,  歪 ,  バンド整列 ,  第一原理 ,  研究