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J-GLOBAL ID：202002214005452035   整理番号：20A0748660

単一ターゲットマグネトロンスパッタリングにより成長させたZn_1-xAg_xSb薄膜の微細構造と熱電特性【JST・京大機械翻訳】

Microstructure and Thermoelectric Properties of Zn_1-xAg_xSb Thin Films Grown by Single-Target Magnetron Sputtering

著者 (3件)： Song Lirong (Center for Materials Crystallography, Department of Chemistry and iNANO, Aarhus University, Denmark) ,  Zhang Jiawei (Center for Materials Crystallography, Department of Chemistry and iNANO, Aarhus University, Denmark) ,  Iversen Bo B. (Center for Materials Crystallography, Department of Chemistry and iNANO, Aarhus University, Denmark)
資料名： ACS Applied Energy Materials  (ACS Applied Energy Materials)
巻： 3  号： 3  ページ： 2055-2062  発行年： 2020年 
JST資料番号： W5032A  ISSN： 2574-0962  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 熱電薄膜は,マイクロサイズのセンサとアクチュエータを含むモノのインターネットデバイスを,電池の置換を必要とせずに,潜在的に出力することができた。亜鉛アンチモン化物は安価な高性能熱電材料の中にあり,ここでは,直接電流マグネトロンスパッタリングにより溶融シリカ基板上にZn_1-xAg_xSb(x=0,0.01,および0.02)薄膜を堆積するZnSb相単一ターゲットの使用を実証した。最適熱電特性を達成するために,膜微細構造に及ぼすアニーリング温度,Arガス圧,および蒸着時間の影響を研究し,AgドーピングをZn-Sb二元系に導入した。Agドーピングによる電気抵抗率の明確な減少があり,アンドープZnSb薄膜とは異なり,AgドープZnSb薄膜は蒸着時間を変えると膜組織の変化を示した。バルク材料の熱伝導率を用いて,525Kにおける14.9μV cm-1K~-2の高い力率値と575Kにおける約0.5の保存的に推定された最大zTをAgドープ薄膜において得た。平均zTの最も高い推定値は,300~575Kの温度範囲で0.16であった。従って,本研究は,高性能熱電ZnSb薄膜を成長させるための簡単な合成ルートを実証した。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電気抵抗率 ,  電池 ,  電流 ,  熱伝導率 ,  *薄膜 ,  亜鉛 ,  アルゴン ,  *銀 ,  石英ガラス ,  ドーピング ,  アンチモン化物 ,  *薄膜成長 ,  蒸着 ,  熱電材料
準シソーラス用語： *熱電特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 熱電薄膜 ,  ZnSb ,  Agドーピング ,  単一ターゲットマグネトロンスパッタリング ,  X線回折

分類 (1件)： 熱電デバイス  (NC03090J)

タイトルに関連する用語 (6件)： ターゲット ,  マグネトロンスパッタリング ,  成長 ,  薄膜 ,  微細構造 ,  熱電特性