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J-GLOBAL ID：202002214283050891   整理番号：20A0765988

MoO_x薄膜の成長角依存調整可能仕事関数と光電子特性【JST・京大機械翻訳】

Growth angle-dependent tunable work function and optoelectronic properties of MoOx thin films

著者 (6件)： Singh Ranveer (SUNAG Laboratory, Institute of Physics, Bhubaneswar 751 005, Odisha, India) ,  Singh Ranveer (Homi Bhabha National Institute, Training School Complex, Anushakti Nagar, Mumbai 400 085, India) ,  Sivakumar R. (Department of Physics, Alagappa University, Karaikudi 630 003, India) ,  Srivastava S.K. (Department of Physics, Indian Institute of Technology Kharagpur, Kharagpur 721 302, India) ,  Som Tapobrata (SUNAG Laboratory, Institute of Physics, Bhubaneswar 751 005, Odisha, India) ,  Som Tapobrata (Homi Bhabha National Institute, Training School Complex, Anushakti Nagar, Mumbai 400 085, India)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 507  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,スパッタ蒸着したMoOx薄膜の光電子特性に及ぼす成長角の役割を調べた。X線回折研究はMoOx膜の非晶質性を明らかにした。膜の二乗平均粗さは成長角の増加と共に増加することが観察された。さらに,光学バンドギャップは堆積角(0°から50°まで)の増加とともに減少を示したが,反対の傾向が(87°まで)それを超えて観察された。組成分析は,MoOx膜中の酸素空孔が50°の成長角度まで増加するが,より高い成長角で成長させた膜では減少することを示した。これに続いて,Kelvinプローブ力顕微鏡を用いて,膜のバンドギャップのような類似の成長角度依存傾向を示すMoOx膜の仕事関数を決定した。さらに,電流-電圧特性は全てのMoOx/Siヘテロ接合の整流挙動を確認したが,通常の入射堆積フラックス下で成長させたMoOx膜に対応するものは最低の漏れ電流を示した。MoOx膜の異なる物理的性質の観測された同調性は成長動力学に起因し,MoOx膜の酸素空孔濃度の成長角度依存性変化をもたらす。この結果は,基本的な観点から役立つだけでなく,光起電力およびフォトクロミック素子の作製のためのテーラーメイドのナノスケール機能性をもつMoOx膜の成長を期待している。特に,通常の入射フラックス下で成長させた膜は,全ての酸化物ベースのホールブロッキング光起電力電池の構築に非常に適している。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *薄膜 ,  非晶質 ,  同時性 ,  漏れ電流 ,  光学ギャップ ,  酸化物 ,  *薄膜成長 ,  角度依存性 ,  バンドギャップ ,  整流 ,  *光電子 ,  ヘテロ接合 ,  光起電力 ,  電流電圧特性 ,  *仕事関数 ,  光電池

著者キーワード (5件)： MOOX ,  薄膜 ,  斜め角堆積 ,  バンドギャップ ,  仕事関数

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (6件)： 薄膜 ,  成長 ,  角依存 ,  調整可能 ,  仕事関数 ,  光電子