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J-GLOBAL ID：202002214342084215   整理番号：20A1808191

Bi_0.5Na_0.5TiO_3系圧電セラミックにおけるアクセプタドーパント媒介電気特性修飾【JST・京大機械翻訳】

Acceptor dopant mediated electrical property modification in Bi_0.5Na_0.5TiO₃-based piezoceramic

著者 (4件)： Taghaddos Elaheh (Department of Materials Science and Engineering, Rutgers University, Piscataway, New Jersey 08854, USA) ,  Charalambous Harry (Argonne National Laboratory, 9700 S Cass Ave., Lemont, Illinois 60439, USA) ,  Miller Steve (H&M Analytical Services, Cream Ridge, New Jersey 08514, USA) ,  Safari Ahmad (Department of Materials Science and Engineering, Rutgers University, Piscataway, New Jersey 08854, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 128  号： 6  ページ： 064103-064103-14  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 0.88[Bi_0.5Na_0.5]TiO_3-0.08[Bi_0.5K_0.5]TiO_3-0.04[Bi_0.5Li_0.5]TiO_3圧電セラミックの電気機械および電気化学的性質に及ぼすMnおよびFeドーパントの影響を,450から600°Cの温度範囲での複素インピーダンスに特に重点を置いて調べた。バルクおよび結晶粒界特性を抽出し,伝導の活性化エネルギーを決定するために,等価回路を用いてインピーダンススペクトルをシミュレーションした。MnとFeドーパントは,非ドープ組成と比較して,機械的品質因子をかなり増強し,誘電損失を減少させた。Mnドーピングは,バルクで劇的に高い抵抗率とバルク活性化エネルギーの適度な増加をもたらす。一方,伝導率は,Mnドープおよび非ドープセラミックと比較して,バルク中の活性化エネルギーの著しい低下および結晶粒界における活性化エネルギーの対応する上昇と共に,Feドーピングにより劇的に増加した。Feドープ圧電セラミックのバルク伝導率は600°Cで0.01Scm-1に達する。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 活性化エネルギー ,  結晶粒界 ,  電気抵抗率 ,  等価回路 ,  誘電損失 ,  鉄 ,  マンガン ,  電気機械 ,  ドーピング ,  *電気特性 ,  *ドーパント ,  インピーダンススペクトル ,  *圧電セラミック
準シソーラス用語： 複素インピーダンス ,  伝導率 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

タイトルに関連する用語 (3件)： 圧電セラミック ,  電気特性 ,  修飾