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J-GLOBAL ID：202002214378133685   整理番号：20A1486852

GaNハーフブリッジにおける交差伝導の診断【JST・京大機械翻訳】

Diagnosing for Cross-conduction in GaN Half-Bridge

著者 (4件)： Qiu Yajie (GaN Systems Inc.,Ottawa,Canada) ,  Vanderkloot Jinseng (GaN Systems Inc.,Ottawa,Canada) ,  Hou Ruoyu (GaN Systems Inc.,Ottawa,Canada) ,  Lu Juncheng (GaN Systems Inc.,Ottawa,Canada)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： APEC  ページ： 2577-2583  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaN E-HEMTsは,Si MOSFETと比較して固有の寄生ダイオードを除去し,より速いスイッチング速度とスルーレートを示した。GaN E-HEMTのこれらおよび他の改良特性は,システムサイズと重量を低減し,低いシステムコストを配送し,効率[2]を増加させた。しかし,スイッチング電源で使用されるGaN HEMTsの進歩は,これらの電源の性能がますます挑戦的であると特性化している。特に厳しい測定は,半ブリッジにおける高側V_GSを測定し,それはSi MOSFETの交差伝導を診断するための伝統的方法である。ガルバニック分離(光分離)を有する特別なプローブと測定システムが,この目的のために開発されたが,GaNユーザは,コストによって取り除かれ,GaN交差伝導を診断するための低コスト方法を求めている。GaNのユニークな特徴(非ボディダイオードと逆回復損失)を利用して,本論文では,高側V_GS:iを感知することなく,交差伝導/電位交差伝導を診断するための実用的方法を提案した。電圧整流中の高側C_oss電荷の計算;ii.二重パルス試験のセットを実装し,低側ドレイン電流を記録した。iii.負荷電流とiv上の低側ドレイン電流バンプ面積の統合。その結果,結果はCOSS電荷値に整合することを確認した。例として25mΩ R_DS_on650V GaN HEMT GS66516Tを用いて,提案した診断法を実証した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電圧 ,  電位 ,  電荷 ,  MOSFET ,  パルス ,  *窒化ガリウム ,  整流 ,  HEMT ,  スイッチングレギュレータ ,  バンプ
準シソーラス用語： 負荷電流 ,  ドレイン電流 ,  スイッチング速度 ,  *ハーフブリッジ ,  GaN HEMT , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  ハーフブリッジ ,  交差 ,  伝導 ,  診断