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J-GLOBAL ID：202002214419482710   整理番号：20A2379316

実時間単一粒子プラズモン散乱イメージングによる個々の銀ナノキューブ上への銅のアンダポテンシャル電着の追跡【JST・京大機械翻訳】

Tracking Underpotential Deposition of Copper on Individual Silver Nanocubes by Real-Time Single-Particle Plasmon Scattering Imaging

著者 (3件)： Oh Hyuncheol (Department of Chemistry, Korea Advanced Institute of Science and Technology, Korea) ,  Park Youngchan (Department of Chemistry, Korea Advanced Institute of Science and Technology, Korea) ,  Song Hyunjoon (Department of Chemistry, Korea Advanced Institute of Science and Technology, Korea)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 124  号： 37  ページ： 20398-20409  発行年： 2020年 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 表面プラズモン散乱を用いた分光電気化学分析は,ナノスケール材料の核形成と成長機構に関する大きな情報を提供できる。本研究では,透明電気化学薄層セルと暗視野分光法を組合せて,個々のAgナノキューブ上のCu析出過程を解明した。堆積過程中に,電気化学応答とプラズモン散乱画像の両方が得られ,それぞれ還元動力学と形態発展と直接相関した。可変掃引速度の線形掃引電位を適用することにより,3つの異なる形態,頂上テトラポッド,樹枝状球,および多重立方体が一様に生成された。トップテトラポッドはバルク析出電位-0.34Vで形成された。しかし,低い電位掃引速度では,プラズモン散乱像から変換された最大散乱ピーク波長と強度は,-0.23から-0.33Vの低電位領域で著しく変化した。固定電位でのプラズモン散乱シミュレーションと走査電子顕微鏡画像は,核形成がこの電位範囲でAg表面上で起こる証拠を提供した。Ag上へのCuのそのようなアンダーポテンシャル析出はバルクではほとんど観察されなかったが,ナノスケールで明確な形態を誘起するのに重要であった。これらの観察に基づいて,堆積機構を詳細に理解し,先端テトラポッドは,選択的バルク堆積により生成され,一方,樹枝状球と多重立方体は,界面活性剤によって支援されたアンダーポテンシャル核形成と成長により形成された。暗視野分光法によるこの分光電気化学ツールは,実際の反応条件下でリアルタイムでin situ分析を提供し,従って,種々の不均一系反応システムを分析するのに多用途である。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 核形成 ,  *散乱 ,  シミュレーション ,  電位 ,  薄膜 ,  *プラズモン ,  *銀 ,  *銅 ,  界面活性剤 ,  *画像処理 ,  多重化 ,  *アンダポテンシャル電着
準シソーラス用語： 暗視野 ,  ナノスケール ,  *ナノキューブ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 電気化学反応  (CB07050F) ,  その他の触媒  (CB06123Z) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属の結晶構造  (BK06000V) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (8件)： 実時間 ,  単一粒子 ,  イメージング ,  銀 ,  ナノキューブ ,  銅 ,  アンダポテンシャル電着 ,  追跡