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J-GLOBAL ID:202002214435993496   整理番号:20A0496256

0.7~1.4eVバンドギャップのGaInAsSb接合を組み込んだ格子整合多重接合太陽電池の性能研究【JST・京大機械翻訳】

Performance Study of Lattice-Matched Multijunction Solar Cells Incorporating GaInNAsSb Junctions with 0.7 - 1.4 eV Bandgap
著者 (10件):
資料名:
巻: 2019  号: PVSC  ページ: 0041-0044  発行年: 2019年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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希薄窒化物サブセルを用いた格子整合多接合太陽電池の開発について報告した。特に,0.9eV,1.2eV,1.4eVおよび1.9eVのバンドギャップをもつ直立四接合アーキテクチャについて報告した。四接合太陽電池は二つの希薄窒化物サブ接合を含んでいる。この構造は1太陽AM1.5D照明で29%の効率を示し,これはこれまでのこのようなアーキテクチャで報告された最高レベルである。さらに,GaAs上に非常に効率的な5または6接合太陽電池の作製を可能にする0.7eVまでのバンドギャップをもつ格子整合太陽電池材料の開発の進歩について報告した。1000の太陽光照射下で,これらの5つまたは6つの接合セルが50%以上の効率に達することができると推定した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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