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J-GLOBAL ID：202002214489104443   整理番号：20A0706811

ゲルミルラジカルとNF_3との気相反応に関する実験的および理論的研究 窒素原子対フッ素引抜におけるホモリシス置換【JST・京大機械翻訳】

Experimental and Theoretical Study on the Gas-Phase Reactions of Germyl Radicals with NF₃: Homolytic Substitution at the Nitrogen Atom vs Fluorine Abstraction

著者 (7件)： Antoniotti Paola (Dipartimento di Chimica, Universita di Torino, Italy) ,  Antoniotti Paola (CRISDI, Interdepartmental Centre for Crystallography, University of Turin, Italy) ,  Benzi Paola (Dipartimento di Chimica, Universita di Torino, Italy) ,  Benzi Paola (CRISDI, Interdepartmental Centre for Crystallography, University of Turin, Italy) ,  Marabello Domenica (Dipartimento di Chimica, Universita di Torino, Italy) ,  Marabello Domenica (CRISDI, Interdepartmental Centre for Crystallography, University of Turin, Italy) ,  Rosso Daniele (Dipartimento di Chimica, Universita di Torino, Italy)
資料名： ACS Omega  (ACS Omega)
巻： 5  号： 10  ページ： 4907-4914  発行年： 2020年 
JST資料番号： W5044A  ISSN： 2470-1343  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,GeH_3ラジカルとNF_3の窒素原子の間の二分子ホモリシス置換(S_H2)の非探索反応機構について報告した。S_H2反応を,ab initioおよび密度汎関数理論(DFT)計算により実験的および理論的に研究した。GeH_4とNF_3の混合物のX線照射の実験結果は,GeH_3-NF_2とGeH_3-Fの形成を示した。照射混合物中のGeH_4分圧の増加の関数としての生成物収率の傾向は,GeH_3ラジカルの支配的役割を証明した。特に,GeH_3ラジカルとNF_3分子の間の反応に対して,GeH_3-NF_2に導くS_H2機構を仮定することができた。この機構は,O_2がラジカルスカベンジャーとして反応混合物に添加された場合に観察されたGeH_3-NF_2収率の増加によってさらに確認された。実験データと一致して,理論のCCSD-(T)とG3B3レベルで行った計算から,GeH_3-NF_2生成物は,NF_3のN原子を攻撃するGeH_3ラジカルによる二分子ホモリシス置換から生じ,この反応は,他の機構がこの生成物の形成に関与しているとしても,GeH_3Fに導くフッ素引き抜き反応と競合することを観察した。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線照射 ,  *フッ素 ,  分圧 ,  *ホモリシス ,  引抜反応 ,  *ラジカル ,  *気相反応 ,  反応機構 ,  密度汎関数法 ,  *ゲル
準シソーラス用語： *窒素原子 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 有機ひ素・アンチモン・ビスマス・ゲルマニウム化合物  (CF08050Y)

タイトルに関連する用語 (9件)： 気相反応 ,  実験 ,  理論 ,  研究 ,  窒素原子 ,  フッ素 ,  引抜 ,  ホモリシス ,  置換