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J-GLOBAL ID：202002214494264494   整理番号：20A0009931

Grimm-Sommerfeld類似窒化物半導体II-IV-N_2(II=Mg,Mn,Zn;IV=Si,Ge)の固溶体 アンモニア熱合成とDFT計算【JST・京大機械翻訳】

Solid Solutions of Grimm-Sommerfeld Analogous Nitride Semiconductors II-IV-N₂ (II=Mg, Mn, Zn; IV=Si, Ge): Ammonothermal Synthesis and DFT Calculations

著者 (8件)： Mallmann Mathias (Department of Chemistry, University of Munich (LMU), Butenandtstrasse 5-13 (D), 81377, Munich, Germany) ,  Niklaus Robin (Department of Chemistry, University of Munich (LMU), Butenandtstrasse 5-13 (D), 81377, Munich, Germany) ,  Rackl Tobias (Department of Chemistry, University of Munich (LMU), Butenandtstrasse 5-13 (D), 81377, Munich, Germany) ,  Benz Maximilian (Department of Chemistry, University of Munich (LMU), Butenandtstrasse 5-13 (D), 81377, Munich, Germany) ,  Chau Thanh G. (Department of Chemistry, University of Munich (LMU), Butenandtstrasse 5-13 (D), 81377, Munich, Germany) ,  Johrendt Dirk (Department of Chemistry, University of Munich (LMU), Butenandtstrasse 5-13 (D), 81377, Munich, Germany) ,  Minar Jan (New Technologies Research Centre, University of West Bohemia, Univerzitni 8, 30614, Pilsen, Czech Republic) ,  Schnick Wolfgang (Department of Chemistry, University of Munich (LMU), Butenandtstrasse 5-13 (D), 81377, Munich, Germany)
資料名： Chemistry - European Journal  (Chemistry - European Journal)
巻： 25  号： 69  ページ： 15887-15895  発行年： 2019年 
JST資料番号： W0744A  ISSN： 0947-6539  CODEN： CEUJED  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ZnSiN_2,ZnGeN_2およびMgGeN_2のようなGrimm-Sommerfeld類似II-IV-N_2窒化物は,一般的に使用される(Al,Ga,In)Nの置換のための有望な半導体材料である。ここでは,一般式(II~a_1-xII~b_x)-IV-N_2を有するII-IV-N_2化合物(II=Mg,Mn,Zn;IV=Si,Ge)の固溶体のアンモニア熱合成を,それらの電子的および光学的性質のx≒0.5およびab initio DFT計算により示した。開始材料として対応する元素を用いることにより,特注の高温高圧オートクレーブにおいて,アンモニア熱反応を行った。ナノH_2とKNH_2は,超臨界アンモニアにおける反応物の溶解度を増加させるアンモニア塩基性鉱化剤として作用する。反応条件として870~1070Kの温度と200MPaまでの圧力を選んだ。全ての固溶体は空間群Pna2_1(no.33)を有するウルツ鉱型超構造で結晶化し,粉末XRDにより確認された。化学組成をエネルギー分散X線分光法で分析した。拡散反射分光法を用いて,2.6~3.5eV(Ge化合物)と3.6~4.4eV(Si化合物)の範囲のすべての化合物の光学バンドギャップの推定を行い,それぞれの境界相の間のバンドギャップ同調性を実証した。KKR+CPA法を用いて擬緩和混合占有構造の電子構造のDFT計算により実験結果を確認した。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エネルギー分散X線分光分析 ,  *窒化物 ,  粉体 ,  *半導体 ,  *密度汎関数法 ,  緩和現象 ,  X線回折 ,  鉱化剤 ,  *固溶体 ,  超臨界 ,  *アンモニア ,  電子構造 ,  化学組成 ,  結晶化 ,  溶解度

著者キーワード (5件)： アンモニア熱合成 ,  密度汎関数計算 ,  窒化物 ,  半導体 ,  固溶体

分類 (3件)： 塩  (CD01050V) ,  その他の無機化合物の結晶構造  (BK07030J) ,  分子の電子構造  (BH05010Q)

タイトルに関連する用語 (8件)： 類似 ,  窒化物半導体 ,  Mn ,  Zn ,  Ge ,  固溶体 ,  アンモニア ,  DFT計算