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J-GLOBAL ID：202002214514560348   整理番号：20A0231032

単分子層[数式:原文を参照]における過渡ホットキャリア動力学と固有速度飽和【JST・京大機械翻訳】

Transient hot-carrier dynamics and intrinsic velocity saturation in monolayer [Formula : see text]

著者 (12件)： Nathawat J. (Department of Electrical Engineering, University at Buffalo, the State University of New York, Buffalo, New York 14260-1900, USA) ,  Smithe K. K. H. (Department of Electrical Engineering, Stanford University, Stanford, California 94305, USA) ,  English C. D. (Department of Electrical Engineering, Stanford University, Stanford, California 94305, USA) ,  Yin S. (Department of Electrical Engineering, University at Buffalo, the State University of New York, Buffalo, New York 14260-1900, USA) ,  Dixit R. (Department of Electrical Engineering, University at Buffalo, the State University of New York, Buffalo, New York 14260-1900, USA) ,  Randle M. (Department of Electrical Engineering, University at Buffalo, the State University of New York, Buffalo, New York 14260-1900, USA) ,  Arabchigavkani N. (Department of Physics, University at Buffalo, the State University of New York, Buffalo, New York 14260-1500, USA) ,  Barut B. (Department of Physics, University at Buffalo, the State University of New York, Buffalo, New York 14260-1500, USA) ,  He K. (Department of Electrical Engineering, University at Buffalo, the State University of New York, Buffalo, New York 14260-1900, USA) ,  Pop E. (Department of Electrical Engineering, Stanford University, Stanford, California 94305, USA) ,  Bird J. P. (Department of Electrical Engineering, University at Buffalo, the State University of New York, Buffalo, New York 14260-1900, USA) ,  Bird J. P. (Department of Physics, University at Buffalo, the State University of New York, Buffalo, New York 14260-1500, USA)
資料名： Physical Review Materials  (Physical Review Materials)
巻： 4  号： 1  ページ： 014002  発行年： 2020年 
JST資料番号： W3690A  ISSN： 2475-9953  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ドリフト速度飽和(いくつかの特性値,[数式:原文を参照])は,高電場[数式:原文を参照]における半導体の極限電流容量を制限する重要な過程である。二次元(2D)半導体の最近の出現により,材料が単分子層スケールに薄くなるとき,速度飽和が影響を受ける方法を理解する必要がある。しかし,[数式:原文を参照]を決定する努力は,典型的には,活性な2D層から誘電体基板への望ましくないエネルギー損失から生じる自己加熱効果によって,典型的に妨げられる。本研究では,重要な2D半導体,すなわち単層二硫化モリブデン([数式:原文を参照])に対するこの問題を調べた。急速(ナノ秒持続時間),単一ショット,パルスの戦略を適用することにより,この材料における真のホットキャリア動力学をプローブすることができ,その[数式:原文を参照]基板の自己加熱の影響を受けない。著者らのアプローチにより,[数式:原文を参照]層における高電流密度[数式:原文を参照]を実現することが可能になり,以前の研究に比べて著しい増強を示した。同様に,自己加熱(および酸化物トラップへのキャリア注入)の影響を排除できない,以前の研究で報告されたものよりも高い飽和ドリフト速度[数式:原文を参照]の値を推定した。実際に,[数式:原文を参照]に対する著者らの推定は,通常(放物線)半導体に対して期待される理想速度にいくらか近い。このパラメータの適切な知識は,能動的な電子およびオプトエレクトロニクスデバイスの設計に必須であるので,ここで提供された速度飽和への洞察は,そのような努力に対する有用な指針を提供するはずである。Copyright 2020 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エネルギー損失 ,  キャリア注入 ,  固有値 ,  ナノ秒 ,  二次元 ,  継続時間 ,  半導体 ,  パルス ,  *ホットキャリア ,  プローブ ,  電流容量 ,  ドリフト速度 ,  酸化物 ,  粒状材 ,  *単分子層

分類 (5件)： 分子の電子構造  (BH05010Q) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  炭素とその化合物  (YB02060D) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (6件)： 単分子層 ,  数式 ,  参照 ,  キャリア動力学 ,  固有 ,  飽和