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J-GLOBAL ID：202002214672896189   整理番号：20A2288965

酸化ガリウム多形相に基づく抵抗構造の性質【JST・京大機械翻訳】

Properties of Resistive Structures Based on Gallium Oxide Polymorphic Phases

著者 (7件)： Kalygina V. M. (Tomsk State University, Tomsk, Russia) ,  Nikolaev V. I. (Perfect Crystals LLC, St. Petersburg, Russia) ,  Almaev A. V. (Tomsk State University, Tomsk, Russia) ,  Tsymbalov A. V. (Tomsk State University, Tomsk, Russia) ,  Petrova Yu. S. (Tomsk State University, Tomsk, Russia) ,  Pechnikov I. A. (Ioffe Physical Technical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia) ,  Butenko P. N. (Ioffe Physical Technical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia)
資料名： Technical Physics Letters  (Technical Physics Letters)
巻： 46  号： 9  ページ： 867-870  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0665A  ISSN： 1063-7850  CODEN： TPLEED  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多形酸化ガリウム(Ga_2O_3)膜に基づく抵抗構造の電流-電圧特性に及ぼすUV照射と強電場の影響を論じた。Ga_2O_3膜を,ベースライン方位(0001)を持つ平滑でパターン化したサファイア基板上に,ハロゲン化物気相エピタキシー(HVPE)法により堆積した。α-Ga_2O_3膜は滑らかな基板上に成長し,αとε相を含む酸化ガリウム膜はパターン化されたもの上に成長した。2相膜に基づく金属/Ga_2O_3/金属構造においてスイッチング効果を検出した。λ=254nmと強い電場で照射すると,構造は低抵抗状態から高抵抗状態まで通過した。Copyright Pleiades Publishing, Ltd. 2020 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 気相成長 ,  紫外線 ,  電場 ,  電流電圧特性 ,  金属構造 ,  紫外線照射 ,  ハロゲン化物 ,  スイッチ効果 ,  ε相 ,  *酸化ガリウム ,  パターン形成
準シソーラス用語： サファイア基板 ,  高電場 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 酸化ガリウム ,  フィルム ,  HVPE ,  多型 ,  紫外線 ,  ソーラブラインド構造

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (2件)： 酸化ガリウム ,  性質