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J-GLOBAL ID：202002214858739498   整理番号：20A0428080

ファセット工学によるSi-O結合の自発的破壊によるCeO_2シラン化の増強【JST・京大機械翻訳】

Enhancement of CeO₂ Silanization by Spontaneous Breakage of Si-O Bonds through Facet Engineering

著者 (5件)： Ma Hongyang (School of Materials Science and Engineering, UNSW, NSW, Australia) ,  Ren Hangjuan (School of Materials Science and Engineering, UNSW, NSW, Australia) ,  Koshy Pramod (School of Materials Science and Engineering, UNSW, NSW, Australia) ,  Sorrell Charles C. (School of Materials Science and Engineering, UNSW, NSW, Australia) ,  Hart Judy N. (School of Materials Science and Engineering, UNSW, NSW, Australia)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 124  号： 4  ページ： 2644-2655  発行年： 2020年 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ファセットエンジニアリングは,多くの技術的応用のためのかなりの可能性を有する材料設計の新しい方法である。本研究は,生物医学および他の分野における重要な技術であるセリア(CeO_2)の表面上でのオルトケイ酸テトラエチル(TEOS)のシラン化を加速するためにこの戦略がどのように使用できるかを理解するためにDFT計算を使用する。露出した{100}ファセットを持つ立方晶系CeO_2ナノ粒子は,(1){110}および{111}ファセットと比較して,これらのファセット上へのTEOSの吸着の促進,および(2)CeO_2のシラン化に対する律速段階であることが分かったTEOSのSi-O結合の自発的破壊を示した。{100}ファセット上への好ましい吸着は,その優れた構造的および電子的性質ならびにより高い反応性から生じ,それは表面原子のより開いた配置に起因し,その結果,表面とバルク原子間のMulliken電荷におけるより大きな差となる。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 材料設計 ,  *ファセット ,  密度汎関数法 ,  *シラン ,  酸化セリウム ,  律速 ,  ナノ粒子 ,  電荷 ,  立方晶系
準シソーラス用語： オルトケイ酸 ,  生物医学 ,  Si-O結合 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 吸着の電子論  (CB12042Y) ,  界面化学一般  (CB12010J)

タイトルに関連する用語 (6件)： ファセット ,  工学 ,  Si-O結合 ,  破壊 ,  シラン ,  増強