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J-GLOBAL ID：202002214942992732   整理番号：20A0452395

(Sr_0.7Ba_0.3)_5LaNb_7Ti_3O_30タングステン青銅セラミックの結晶構造,リラクサ挙動およびエネルギー貯蔵性能【JST・京大機械翻訳】

Crystal structure, relaxor behaviors and energy storage performance of (Sr_0.7Ba_0.3)₅LaNb₇Ti₃O₃₀ tungsten bronze ceramics

著者 (10件)： Cao Lei (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, Sichuan, 610054, People’s Republic of China) ,  Cao Lei (National Engineering Research Center of Electromagnetic Radiation Control Materials, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, Sichuan, 610054, People’s Republic of China) ,  Yuan Ying (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, Sichuan, 610054, People’s Republic of China) ,  Yuan Ying (National Engineering Research Center of Electromagnetic Radiation Control Materials, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, Sichuan, 610054, People’s Republic of China) ,  Yang Zhengyi (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, Sichuan, 610054, People’s Republic of China) ,  Yang Zhengyi (National Engineering Research Center of Electromagnetic Radiation Control Materials, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, Sichuan, 610054, People’s Republic of China) ,  Li Enzhu (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, Sichuan, 610054, People’s Republic of China) ,  Li Enzhu (National Engineering Research Center of Electromagnetic Radiation Control Materials, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, Sichuan, 610054, People’s Republic of China) ,  Zhang Shuren (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, Sichuan, 610054, People’s Republic of China) ,  Zhang Shuren (National Engineering Research Center of Electromagnetic Radiation Control Materials, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, Sichuan, 610054, People’s Republic of China)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 46  号： 5  ページ： 6108-6114  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,充填正方晶タングステンブロンズ構造を持つ新しい(Sr_0.7Ba_0.3)_5LaNb_7Ti_3O_30系セラミックを提案し,従来の固相法により作製した。結晶構造,リラクサ挙動およびエネルギー貯蔵能力を研究した。大きなリラクサ活性化エネルギーは,より良いエネルギー貯蔵性能を得るのに有利な「弱く結合したリラクサ」機構を示し,より低いコンダクタンス活性化エネルギーは,充填タングステンブロンズ構造の形成をさらに証明することができる。さらに重要なことに,35.5kV/mmまでの絶縁破壊強度が得られた。24kV/mmでの放出エネルギー密度と効率は,それぞれ1.36J/cm3と91.9%である。さらに,高電流密度と高絶縁破壊強度のために,477.5A/cm2の電流密度と42.9MW/cm3の電力密度を達成し,SBLNTセラミックがエネルギー貯蔵のための潜在的候補誘電体セラミックであることを意味した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 活性化エネルギー ,  固相 ,  エネルギー貯蔵 ,  *タングステンブロンズ ,  正方晶系 ,  *リラクサ ,  コンダクタンス ,  *結晶構造 ,  *セラミック ,  エネルギー密度 ,  絶縁耐力 ,  インピーダンス ,  電流密度
準シソーラス用語： 電力密度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 正方晶タングステンブロンズ ,  インピーダンス ,  絶縁破壊強度 ,  エネルギー貯蔵

分類 (2件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  静電機器  (NB10020R)

タイトルに関連する用語 (6件)： タングステン青銅 ,  セラミック ,  結晶構造 ,  リラクサ ,  挙動 ,  エネルギー貯蔵