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J-GLOBAL ID:202002215009448569   整理番号:20A0298338

精密な層間距離によるWS_2:HBN:WS_2垂直スタックにおける光ルミネセンス増強とエネルギー移動の制御【JST・京大機械翻訳】

Controlling Photoluminescence Enhancement and Energy Transfer in WS2:hBN:WS2 Vertical Stacks by Precise Interlayer Distances
著者 (9件):
資料名:
巻: 16  号:ページ: e1905985  発行年: 2020年 
JST資料番号: W2348A  ISSN: 1613-6810  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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2D半導体遷移金属ジカルコゲニド(TMD)は,特にそれらの単分子層限界において魅力的な光学特性を付与する。カスタマイズ可能な厚さを持つ絶縁性hBN膜は,TMD間の相互作用を決定する分離障壁として作用できる。本研究では,WS_2:hBN:WS_2の垂直層状ヘテロ構造(VLHs)を化学蒸着(CVD)成長材料を用いて作製し,光ルミネセンス(PL)分光法により光学性能を評価した。hBNスペーサの挿入による禁止間接光学遷移とは別に,WS_2のドーピングレベルの変化は,より高い量子効率をもつ層から生じるエネルギー移動を駆動し,それにより,ヘテロ系の全PL収率は増加し,スタックは2つのWS_2成分の和と比較してより高いPL強度を示した。このようなドーピング効果は,WS_2単分子層が存在し,相互作用する界面から生じる。WS_2における電子密度も制御され,ヘテロ構造におけるPLのその後の変調がバックゲート電圧を印加することにより実証された。他の影響因子は,WS_2と温度における歪を含んだ。VLHsにおけるエネルギー移動を調整することは,2Dシステムにおけるフォトニック応用の発展を拡大する可能性がある。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
塩基,金属酸化物  ,  ピリジン  ,  太陽電池 

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