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J-GLOBAL ID:202002215013009141   整理番号:20A1077122

MQW GaAs/AlGaAsナノ規模ヘテロ構造の改良された調整可能な光吸収特性【JST・京大機械翻訳】

Improved and tunable optical absorption characteristics of MQW GaAs/AlGaAs nano-scale heterostructure
著者 (7件):
資料名:
巻: 208  ページ: Null  発行年: 2020年 
JST資料番号: D0251A  ISSN: 0030-4026  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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本論文では,MQW(多重量子井戸)GaAs/AlGaAsナノスケールヘテロ構造の光吸収特性の可変同調特性による著しい改善について報告した。障壁層の組成,量子井戸幅および構造上の外部一軸圧力応用の最適化により,光学特性の改善と同調性を研究した。6バンドKohn-Luttinger(K-L)ハミルトニアンを解いて,電子と正孔の波動関数,それらの離散(分散)エネルギーに沿った構造における局在化,および最終的に光吸収特性を決定した。5GPa~25GPaの範囲の一軸(001)圧力下で,波長の赤方偏移と共に光吸収(6000cm~-1~9000cm-1)の著しい改善が本論文で報告された。したがって,最適化されたAl含有量を有する提案されたヘテロ構造は,可視-NIR(近赤外)波長領域で動作する光検出器と光センサの設計に適切に利用できる。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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半導体レーザ 

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