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J-GLOBAL ID：202002215053322987   整理番号：20A2081396

立方晶In_2O_3ヘテロエピ層におけるミスフィットエピタキシャル歪操作輸送特性【JST・京大機械翻訳】

Misfit epitaxial strain manipulated transport properties in cubic In₂O₃ hetero-epilayers

著者 (13件)： Kuang Y. (School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210023, China) ,  Ma T. C. (School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210023, China) ,  Chen X. H. (School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210023, China) ,  Li J. (School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210023, China) ,  Ren F.-F. (School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210023, China) ,  Liu B. (School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210023, China) ,  Cui X. Y. (Australian Centre for Microscopy and Microanalysis and School of Aerospace, Mechanical and Mechatronic Engineering, The University of Sydney, New South Wales 2006, Australia) ,  Ringer S. P. (Australian Centre for Microscopy and Microanalysis and School of Aerospace, Mechanical and Mechatronic Engineering, The University of Sydney, New South Wales 2006, Australia) ,  Zhu S. M. (School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210023, China) ,  Gu S. L. (School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210023, China) ,  Zhang R. (School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210023, China) ,  Zheng Y. D. (School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210023, China) ,  Ye J. D. (School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210023, China)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 117  号： 10  ページ： 102104-102104-6  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,サファイア上に成長した立方晶In_2O_3エピ層におけるエピタキシャル不整合歪によって支配される電子特性の進展について報告する。高い成長温度では,膜/基板格子不整合と熱膨張不整合の間の競合は,圧縮から引張への巨視的二軸歪を変化させる。同時に,電子濃度をMott基準以下で変性から非変性密度に調整した。観測された表面電子蓄積と金属-絶縁体転移は,低い成長温度で形成された酸素欠陥から生じ,一方,高温エピタキシーは,著しく強化された移動度を達成するために好ましい。有効歪-特性結合は,2軸歪によって制御された酸素化学量論とFermi準位運動がMott転移の原因であることを示唆した。電子有効質量の歪媒介還元は,引張歪In_2O_3エピ層における固有移動度の向上に寄与した。これらの結果は,歪工学が,改善された性能と予想外の機能を有する酸化物半導体の輸送特性を操作するための効果的な刺激であることを明らかにした。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 移動度 ,  *エピタクシー ,  高温 ,  熱膨張 ,  酸素 ,  Fermi準位 ,  化学量論 ,  Mott転移 ,  引張 ,  *立方晶系 ,  有効質量 ,  サファイア ,  格子不整合
準シソーラス用語： 引張歪 ,  *エピタキシャル層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 立方晶 ,  テロ ,  エピ層 ,  歪 ,  輸送特性