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J-GLOBAL ID：202002215148788180   整理番号：20A0496437

改良された結晶品質を持つCIGS太陽電池に対する背面接触再結合の影響の評価【JST・京大機械翻訳】

Assessing the impact of back-contact recombination on CIGS solar cells with improved crystal quality

著者 (5件)： Kamikawa Yukiko (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology,Tsukuba, Ibaraki,Japan,305-8568) ,  Nardone Marco (Bowling Green State University,Bowling Green,Ohio,USA,43403) ,  Nishinaga Jiro (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology,Tsukuba, Ibaraki,Japan,305-8568) ,  Shibata Hajime (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology,Tsukuba, Ibaraki,Japan,305-8568) ,  Ishizuka Shogo (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology,Tsukuba, Ibaraki,Japan,305-8568)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： PVSC  ページ： 0935-0942  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cu(In,Ga)Se_2(CIGS)セルに及ぼす背面接触再結合の影響を,典型的なGa/III等級づけを考慮したデバイスシミュレーションに基づいて議論した。拡散長さ(L_n)が吸収体厚さに対して大きいとき,逆接触再結合を防ぐことによって開回路電圧(V_OC)を改善する余地があった。一方,小さいL_nでは,逆接触再結合の影響は無視できる。効率利得は,接触不動態化技術および/または逆接触から離れた電子を保持するより大きな伝導帯等級付けを採用することによって実現することができる。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 利得 ,  吸収体 ,  伝導バンド ,  不動態化 ,  等級づけ ,  *再結合
準シソーラス用語： 開回路電圧 ,  デバイスシミュレーション ,  バックコンタクト ,  *CIGS太陽電池 ,  *結晶品質 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： パターン認識  (JE07000S) ,  ロボットの運動・制御  (IC04012J) ,  無線通信一般  (ND08010L) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 結晶品質 ,  CIGS太陽電池 ,  背面接触 ,  再結合 ,  影響の評価