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J-GLOBAL ID：202002215176363666   整理番号：20A1421224

金属-絶縁体-半導体(MIS)型Au/Ni/CeO_2/GaN Schottky障壁紫外光検出器の構造的,光学的および光応答特性【JST・京大機械翻訳】

Structural, optical and photoresponse characteristics of metal-insulator-semiconductor (MIS) type Au/Ni/CeO₂/GaN Schottky barrier ultraviolet photodetector

著者 (9件)： Nallabala Nanda Kumar Reddy (Department of Physics, Madanapalle Institute of Technology and Science, Madanapalle, 517 325, Andhra Pradesh, India) ,  Godavarthi Srinivas (CONACYT-Universidad Juarez Autonoma de Tabasco, Centro de Investigacion de Ciencia y Tecnologia Aplicada de Tabasco (CICTAT), Cunduacan, C.P 86690, Mexico) ,  Kummara Venkata Krishnaiah (Department of Physics, Rajeev Gandhi Memorial College of Engineering and Technology, Nandyal, 518 501, Andhra Pradesh, India) ,  Kesarla Mohan Kumar (Instituto de Ciencias Fisicas, Universidad Nacional Autonoma de Mexico, C.P 62210 Cuernavaca, Morelos, Mexico) ,  Saha Debabrata (Department of Physics, Madanapalle Institute of Technology and Science, Madanapalle, 517 325, Andhra Pradesh, India) ,  Akkera Harish Sharma (Department of Physics, Presidency University, Bangalore, 560064, Karnataka, India) ,  Guntupalli Gopi Krishna (IISER Berhampur, Berhampur, 760 010, Odisha, India) ,  Kumar Suresh (Department of Electronic Science, Kurukshetra University, Kurukshetra, 136119, India) ,  Vattikuti S.V. Prabhakar (School of Mechanical Engineering, Yeungnam University, Gyeongsan, 38541, Republic of Korea)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 117  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaN系金属-絶縁体-半導体(MIS)型紫外線光検出器を作製し,絶縁酸化物層として高k誘電体CeO_2を用いて調べた。XRD分析を用いて,GaN上の堆積したままのCeO_2膜の相形成は立方晶蛍石であることが分かった。非接触モード原子間力顕微鏡技術を利用して,0.428μmの平均rms表面粗さを有する球形の予め配列したクラスタから成るGaN上のCeO_2膜の表面形態を調べた。XPS分析はCe_3dスペクトルエンベロープ中のCe3+とCe4+のような2つの酸化状態の存在を明らかにした。吸光度対波長データを用いて,Taucプロットをプロットし,3.52eVの直接光学バンドギャップを計算した。デバイスから抽出した電流-電圧(I-V)特性は,金属-半導体(MS)界面でのバックツーバックSchottky障壁の対称挙動または形成を明らかにした。+10Vバイアスでのデバイスの光応答性は28.99A/Wと計算され,文献で報告されている金属-半導体-金属(MSM)型UV PDから抽出した値に比べて高かった。さらに,調製したデバイスの過渡応答特性は,それぞれ,ほぼ同じ上昇時間とΔΔ2.73sとΔΨ5.35sの時間を有する良好な安定性を示した。デバイス性能に基づいて,提案したMIS型構造は紫外線光検出器の開発に適している。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  界面 ,  *紫外線 ,  対称性 ,  電圧 ,  電流 ,  *半導体 ,  *光検出器 ,  *応答特性 ,  X線回折分析 ,  蛍石 ,  クラスタ ,  立方晶系 ,  *窒化ガリウム ,  吸光度 ,  *絶縁体

著者キーワード (5件)： 紫外線光検出器 ,  金属-絶縁体-半導体構造 ,  CeO_2 ,  非接触原子間力顕微鏡法 ,  応答性と過渡測定

分類 (1件)： 光化学一般  (CB08010U)

タイトルに関連する用語 (11件)： 絶縁体 ,  MIS ,  型 ,  Au ,  Ni ,  GaN ,  Schottky障壁 ,  紫外光 ,  検出器 ,  光学 ,  応答特性