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J-GLOBAL ID：202002215317560685   整理番号：20A0454231

SiCセラミックのイオン衝撃の研究:表面および界面反応改質【JST・京大機械翻訳】

Study of ion bombardment of SiC ceramics: Surface and interfacial reaction modification

著者 (11件)： Chen Z.B. (State Key Laboratory of Advanced Welding and Joining, Harbin Institute of Technology, Harbin, 150001, China) ,  Chen Z.B. (Shandong Provincial Key Lab of Special Welding Technology, Harbin Institute of Technology at Weihai, Weihai, 264209, China) ,  Hu S.P. (State Key Laboratory of Advanced Welding and Joining, Harbin Institute of Technology, Harbin, 150001, China) ,  Hu S.P. (Shandong Provincial Key Lab of Special Welding Technology, Harbin Institute of Technology at Weihai, Weihai, 264209, China) ,  Duan X.K. (Shandong Provincial Key Lab of Special Welding Technology, Harbin Institute of Technology at Weihai, Weihai, 264209, China) ,  Dan M. (Southwestern Institute of Physics, Chengdu, 610041, China) ,  Song X.G. (State Key Laboratory of Advanced Welding and Joining, Harbin Institute of Technology, Harbin, 150001, China) ,  Song X.G. (Shandong Provincial Key Lab of Special Welding Technology, Harbin Institute of Technology at Weihai, Weihai, 264209, China) ,  Long W.M. (State Key Laboratory of Advanced Brazing Filler Metals and Technology, Zhengzhou Research Institute of Mechanical Engineering, Zhengzhou, 450001, China) ,  Feng J.C. (State Key Laboratory of Advanced Welding and Joining, Harbin Institute of Technology, Harbin, 150001, China) ,  Feng J.C. (Shandong Provincial Key Lab of Special Welding Technology, Harbin Institute of Technology at Weihai, Weihai, 264209, China)
資料名： Journal of the European Ceramic Society  (Journal of the European Ceramic Society)
巻： 40  号： 4  ページ： 1005-1013  発行年： 2020年 
JST資料番号： E0801B  ISSN： 0955-2219  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Arイオン衝撃を行い,SiC表面微細構造を改質した。これは,ろう付け継手の界面微細構造とせん断特性に重大な影響を及ぼした。約120nmの厚さの非晶質層が衝撃表面上に形成され,多くの転位と非晶質層下の双晶を伴った。信頼できるSiC/AgCu-Ti/SiC継手を900°Cで10分間真空中でろう付けし,SEM,EDSおよびTEMにより界面微細構造を詳細に調べた。イオン衝撃SiCを基板として用いたとき,ろう付けビームの微細構造は,TiCu/Ti_5Si_3+TiC混合層/SiCを含むSiC/Ti_5Si_3+TiC混合層/Ag(s,s)として最適化され,界面層化は従来のSiCろう付けと比較して除去された。せん断強度はイオン衝撃により30.9MPaに改善され,イオン衝撃なしの元のSiC継手のそれより約72.6%高かった。提案したArイオン衝撃法はセラミックのろう付け性を改良する新しい方法を提供する。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *セラミック ,  微細構造 ,  ろう付継手 ,  *炭化ケイ素 ,  剪断強さ ,  *イオン衝突 ,  ろう付 ,  双晶 ,  *衝撃 ,  非晶質 ,  混合層 ,  最適化 ,  剪断
準シソーラス用語： 界面層 ,  *界面反応 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： イオン衝撃 ,  微細構造 ,  ろう付 ,  セラミックス

分類 (3件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  ろう付  (WC07050C) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (6件)： SiC ,  セラミック ,  イオン衝撃 ,  研究 ,  界面反応 ,  改質