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J-GLOBAL ID：202002215770362550   整理番号：20A2738944

有機薄膜トランジスタ用ポリシルセスキオキサンゲート絶縁膜の紫外線重合における光重合開始剤の検討

Investigation of Photo-Initiators for Ultra-Violet Light Cured Polysilsesquioxane Gate Dielectric Layers of Organic Thin Film Transistors

著者 (4件)： 秦野航輔 (和歌山大学 システム工学部) ,  中原佳夫 (和歌山大学 システム工学部) ,  宇野和行 (和歌山大学 システム工学部) ,  田中一郎 (和歌山大学 システム工学部)
資料名： 材料  (Journal of the Society of Materials Science, Japan)
巻： 69  号： 10  ページ： 712-716(J-STAGE)  発行年： 2020年 
JST資料番号： F0385A  ISSN： 0514-5163  CODEN： ZARYA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： UV硬化時間を短縮するために,色々な光開始剤を使って紫外線(UV)光硬化ポリシルセスキオキサン(PSQ)ゲート誘電体層を有するペンタセン薄膜トランジスタ(TFT)を作製した。PSQ層は,光開始剤としてIrgacure^TM184を使って硬化した場合,完全に硬化するのに60分かかった。しかし,Irgacure^TM907を増感剤と併用した場合,UV光がより効率的に吸収されるため,硬化時間が10分に短縮された。また,ペンタセンTFTの正孔移動度は,増感剤と共に光開始剤をIrgacure^TM184からIrgacure^TM907に変更しても影響を受けないことが実証された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  *FET【トランジスタ】 ,  有機半導体 ,  *ポリシルセスキオキサン ,  *ゲート絶縁膜 ,  *ポリアセン ,  *誘電体薄膜 ,  *有機ケイ素化合物 ,  *光重合 ,  光架橋 ,  *光開始剤 ,  *紫外線 ,  時間 ,  硬化 ,  *増感剤 ,  縮小 ,  キャリア移動度 ,  正孔 ,  時間短縮 ,  正孔移動度
準シソーラス用語： ゲート誘電体 ,  光硬化 ,  硬化時間 ,  有機薄膜トランジスタ

著者キーワード (1件)： ポリシルセスキオキサンゲート誘電体ペンタセン薄膜トランジスタUV光硬化光開始剤ホール移動度

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  無機重合体  (YH07140R) ,  トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： ペンタセン

引用文献 (27件)：

• 1) S. R. Forrest, “The path to ubiquitous and low-cost organic electronic appliances on plastic”, Nature, Vol. 428, No. 6986, pp.911-918 (2004).
• 2) H. Klauk, M. Halik, U. Zschieschang, G. Schmid, W. Radlik and W. Weber, “High-mobility polymer gate dielectric pentacene thin film transistors”, Journal of Applied Physics, Vol.92, Issue 9, pp.5259-5263 (2002).
• 3) Y. Kato, S. Iba, R. Teramoto, T. Sekitani, T. Someya, H. Kawaguchi and T. Sakurai, “High mobility of pentacene field-effect transistors with polyimide gate dielectric layers”, Applied Physics Letters, Vol.84, Issue 19, pp.3789-3791 (2004).
• 4) S. Y. Yang, S. H. Kim, K. Shin, H. Jeon and C. E. Park, “Low-voltage pentacene field-effect transistors with ultrathin polymer gate dielectrics”, Applied Physics Letters, Vol.88, Issue 17, pp.173507-1-173507-3 (2006).
• 5) Z. Bao, V. Kuck, J. A. Rogers and M. A. Paczkowski, “Silsesquioxane resins as high-performance solution processible dielectric materials for organic transistor applications”, Advanced Functional Materials, Vol.12, No.8, pp.526-531 (2002).

タイトルに関連する用語 (6件)： 有機薄膜トランジスタ ,  ポリシルセスキオキサン ,  ゲート絶縁膜 ,  紫外線 ,  重合 ,  光重合開始剤