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J-GLOBAL ID：202002215996514718   整理番号：20A1235655

有機液体前駆体を用いた結晶性二硫化タングステン薄膜の低温成長

Low-temperature growth of crystalline tungsten disulfide thin films by using organic liquid precursors

著者 (2件)： Ikeda Yukihiro (Department of Chemistry, Graduate School of Science and Engineering, Saitama University, Sakura, Saitama 338-8570, Japan) ,  Ueno Keiji (Department of Chemistry, Graduate School of Science and Engineering, Saitama University, Sakura, Saitama 338-8570, Japan)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 59  号： SC  ページ： SCCC04 (7pp)  発行年： 2020年02月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 遷移金属二硫化物(TMDC)の結晶性薄膜の低温成長法は,様々な材料を基板として利用するために急務となっている。本論文では,ビス(tert-ブチルイミド)ビス(ジメチルアミド)タングステン(VI)[(t-BuN)₂W(NMe₂)₂]とジ-tert-ブチルジスルフィド[(t-C₄H₉)₂S₂]という有機液体前駆体を用いて,400°Cの低温成長温度で結晶性二硫化タングステン(WS₂)薄膜を成長させたことを報告する。低温成長を実現するために,これらの前駆体を原子層蒸着法と同様のパルス制御バルブを用いて基板上に導入した。さらに,触媒金属膜(WまたはAu)を基板の限られた領域に最初に成膜することで,SiO₂/Si基板の全面に350°Cでも結晶性WS₂膜を成長させることができることを明らかにしたが,金属膜の前処理を行わずに350°Cでは結晶性WS₂膜の成長はほとんど観察されなかった。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 前駆体 ,  *タングステン化合物 ,  *多硫化物 ,  *半導体薄膜 ,  結晶成長 ,  カルコゲン化物 ,  遷移金属化合物 ,  化学蒸着 ,  *金属触媒 ,  金属薄膜 ,  二酸化ケイ素 ,  ケイ素 ,  前処理 ,  薄膜成長
準シソーラス用語： *二硫化タングステン ,  低温成長 ,  遷移金属ジカルコゲナイド ,  原子層蒸着 ,  *触媒金属

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 前駆体 ,  結晶性 ,  硫化タングステン ,  薄膜 ,  低温成長