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J-GLOBAL ID:202002215997729413   整理番号:20A0272464

平坦および欠陥のあるRh(001)表面上へのイソシアン酸(HNCO)の吸着 純DFTおよびDFT+VDW計算【JST・京大機械翻訳】

Isocyanic acid (HNCO) adsorption on the flat and defective Rh(001) surfaces: Pure DFT and DFT+vdW calculations
著者 (9件):
資料名:
巻: 138  ページ: Null  発行年: 2020年 
JST資料番号: C0202A  ISSN: 0022-3697  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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van der Waals(vdW)力(vdW-DF)の効果を含む密度汎関数理論(DFT)計算を行い,欠陥のある完全なRh(001)表面へのイソシアナート(HNCO)の吸着を研究した。Rh(001)表面上のRh吸着原子を欠陥Rh(001)表面のモデルとして考察した。著者らの計算は,完全な表面では,HNCOが,vdW補正の包含の有無にかかわらず,ブリッジサイトに吸着することを好むことを示している。しかし,vdW力の包含は純粋なDFTから得られた値に対して吸着エネルギーの減少をもたらす。特に欠陥表面に関しては,完全表面上に吸着したHNCOと比較して,Rh吸着原子は吸着したHNCOのより大きな安定性をもたらした。また,HNCOと表面間の相互作用を,投影状態密度(PDOS)の観点から解析した。Nの2p軌道(すなわち,HNCO)とRh4dバンドの間に巨大な混成が起こり,観測された安定性の電子的起源を与えることが観察された。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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吸着の電子論  ,  表面の電子構造 

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