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J-GLOBAL ID：202002216011236176   整理番号：20A1030405

等構造支持ソルボサーマル合成により調製したオプトエレクトロニクスデバイスのための長さと組成調整可能なSb-Bi-Sナノワイヤ【JST・京大機械翻訳】

Length and composition tunable Sb-Bi-S nanowires for optoelectronic devices prepared via an isostructure-favored solvothermal synthesis

著者 (8件)： Wang Junli (School of Materials Science & Engineering, Jiangsu University, Zhenjiang, 212013, PR China) ,  Jin Lei (School of Materials Science & Engineering, Jiangsu University, Zhenjiang, 212013, PR China) ,  Wang Tingting (School of Materials Science & Engineering, Jiangsu University, Zhenjiang, 212013, PR China) ,  Zhao Lijun (School of Materials Science & Engineering, Jiangsu University, Zhenjiang, 212013, PR China) ,  Guan Fan (School of Materials Science & Engineering, Jiangsu University, Zhenjiang, 212013, PR China) ,  Li Shaopeng (School of Materials Science & Engineering, Jiangsu University, Zhenjiang, 212013, PR China) ,  Wang Dan (Test & Analysis Center, Jiangsu University, Zhenjiang, 212013, PR China) ,  Zhang Junhao (School of Environmental and Chemical Engineering, Jiangsu University of Science and Technology, Zhenjiang, 212003, PR China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 831  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 1Dナノ構造(ナノワイヤ及びナノロッド)を有する連続固溶体(Sb_1-xBi_x)_2S_3(0<x<1)のエチレングリコール媒介ソルボサーマル合成を報告した。三元生成物は,Bi:Sb組成比(53:47~7:93),長さ対直径アスペクト比(2.7~66.2),および光学バンドギャップエネルギー(1.36~1.55eV)の広い変化を示し,x=0.22の増強光電流(例えばSb_1-xBi_x)_2S_3は純粋Sb_2S_3より3倍高かった。XRDパターンにおけるピーク位置の漸進的シフトおよびEDSマッピングにおけるBi,SbおよびS元素の均一分布は,単相(Sb_1-xBi_x)_2S_3固溶体の形成を証明した。その形成は,Sb_2S_3とBi_2S_3が同じ斜方晶構造(空間群:Pnma)と類似の格子定数を有するので,等構造優先合金化機構に起因する。Sb等原子価カチオンに対するBiの置換は,三元合金Sb-Bi-Sナノワイヤの長さを短くし,高Bi/Sb前駆体比で低アスペクト比ナノロッドへ移動させることができる。Bi/Sb比に対する長さの依存性は,異なる量のBiイオンにおける核の数と合金化過程におけるBi-SおよびSb-S結合の共有結合性の違いを考慮して合理的に解釈される。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  空間群 ,  格子定数 ,  固溶体 ,  *アンチモン ,  *ビスマス ,  原子価 ,  三元合金 ,  *オプトエレクトロニクス ,  斜方晶系 ,  一次元 ,  合金化 ,  光学ギャップ ,  *ナノワイヤ ,  ナノロッド

著者キーワード (6件)： アンチモン-ビスマス-硫化物 ,  固溶体 ,  1Dナノ構造 ,  ソルボサーマル合成 ,  バンドギャップ ,  オプトエレクトロニクス特性

分類 (2件)： 無機化合物のルミネセンス  (BM08093J) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (8件)： 支持 ,  ソルボサーマル合成 ,  調製 ,  オプトエレクトロニクスデバイス ,  組成 ,  Sb ,  Bi ,  ナノワイヤ