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J-GLOBAL ID：202002216214906906   整理番号：20A1438535

ギャップのあるグラフェン-GaAs二重層構造における集団励起【JST・京大機械翻訳】

Collective excitations in gapped graphene-GaAs double-layer structures

著者 (4件)： Kim Phuong Dong Thi (An Giang University, 18-Ung Van Khiem Street, Long Xuyen, An Giang, Viet Nam) ,  Kim Phuong Dong Thi (Vietnam National University, Ho Chi Minh City, Viet Nam) ,  Van Men Nguyen (Atomic Molecular and Optical Physics Research Group, Advanced Institute of Materials Science, Ton Duc Thang University, Ho Chi Minh City, Viet Nam) ,  Van Men Nguyen (Faculty of Applied Sciences, Ton Duc Thang University, Ho Chi Minh City, Viet Nam)
資料名： Solid State Communications  (Solid State Communications)
巻： 314-315  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0499A  ISSN： 0038-1098  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究の目的は,温度効果のないランダム位相近似内のギャップグラフェン-GaAs二重層構造におけるプラズマ振動の集団励起と減衰速度を決定することである。最初に,プラズモン周波数の解析的表現を観察するために,偏光関数の長波長近似展開とCoulomb裸相互作用を利用した。これらの解析式は,バンドギャップが集団励起に重要な寄与を有することを示した。第2に,著者らの数値計算は,位相光プラモン分岐が単一粒子励起領域で継続し,一方,音響外位相が,この領域の境界に合体し,次に消えることを示した。そのうえ,バンドギャップを考慮することは,著しく光プラズモン周波数を減少させ,一方,キャリア密度は,他の二重層構造におけるものと異なって,音響ブランチに影響を及ぼす。最後に,層間分離と不均一誘電環境は,両方のプラズモンモードに影響し,以前の研究で得られたものと同様であった。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ランダム位相近似 ,  数値計算 ,  プラズモン ,  偏光 ,  *励起 ,  *二重構造 ,  音響 ,  *ヒ化ガリウム ,  温度依存性 ,  近似法 ,  位相 ,  キャリア密度 ,  *集団励起 ,  バンドギャップ ,  *グラフェン

著者キーワード (3件)： A.ギャップグラフェン ,  C.二重層構造 ,  D.集団励起

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  電子輸送の一般理論  (BM03020C)

タイトルに関連する用語 (5件)： ギャップ ,  グラフェン ,  GaAs ,  二重層構造 ,  集団励起