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J-GLOBAL ID:202002216331495004   整理番号:20A0290710

タングステン基板上のケイ化物被覆の微細構造特性に及ぼす溶融シリコンめっき温度の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of hot dip silicon-plating temperature on microstructure characteristics of silicide coating on tungsten substrate
著者 (8件):
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巻: 46  号:ページ: 5223-5228  発行年: 2020年 
JST資料番号: H0705A  ISSN: 0272-8842  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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タングステン基板上にW-けい化物被覆を種々の温度の下で溶融シリコンめっき法を用いて蒸着した。元素の相組成,微細構造,および濃度分布を研究した。その結果,W-けい化物被覆はWSi_2層と界面層(W_5Si_3層)から成り,WSi_2被覆は(211)と(206)結晶面上に強い優先配向を有することを示した。高温浸漬温度は被覆の厚さと粒径に著しい影響を及ぼす。溶融温度の上昇とともに,WSi_2層とW_5Si_3層の厚さと粒径は明らかに増加した。さらに,温度が1560°Cのとき,被覆表面で高いケイ素濃度が観察され,最高のケイ素濃度は約46wt%(84.79at.%)であった。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
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セラミック・磁器の性質  ,  非金属材料へのセラミック被覆  ,  金属材料へのセラミック被覆 

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