文献

J-GLOBAL ID：202002216375804981   整理番号：20A0528945

相変化メモリのための溶液プロセス前駆体の戦略【JST・京大機械翻訳】

Strategy of solution process precursors for phase change memory

著者 (13件)： Hwang Jeong Min (Thin Film Materials Research Center, Korea Research Institute of Chemical Technology, 141 Gajeongro, Yuseong, Daejeon 34114, Republic of Korea) ,  Lee Ji Hun (Thin Film Materials Research Center, Korea Research Institute of Chemical Technology, 141 Gajeongro, Yuseong, Daejeon 34114, Republic of Korea) ,  Kim Hyo-Suk (Thin Film Materials Research Center, Korea Research Institute of Chemical Technology, 141 Gajeongro, Yuseong, Daejeon 34114, Republic of Korea) ,  Park Chan Woo (Thin Film Materials Research Center, Korea Research Institute of Chemical Technology, 141 Gajeongro, Yuseong, Daejeon 34114, Republic of Korea) ,  Park Chan Woo (Department of Chemistry, Korea University, 145 Anam-ro, Seongbuk-gu, Seoul 02841, Republic of Korea) ,  Yoo Dagyum (Thin Film Materials Research Center, Korea Research Institute of Chemical Technology, 141 Gajeongro, Yuseong, Daejeon 34114, Republic of Korea) ,  Yoo Dagyum (Department of Advanced Materials and Chemical Engineering, University of Science and Technology (UST), 217 Gajeong-ro, Republic of Korea) ,  Park Bo Keun (Thin Film Materials Research Center, Korea Research Institute of Chemical Technology, 141 Gajeongro, Yuseong, Daejeon 34114, Republic of Korea) ,  Park Bo Keun (Department of Advanced Materials and Chemical Engineering, University of Science and Technology (UST), 217 Gajeong-ro, Republic of Korea) ,  Kim Chang Gyoun (Thin Film Materials Research Center, Korea Research Institute of Chemical Technology, 141 Gajeongro, Yuseong, Daejeon 34114, Republic of Korea) ,  Kim Chang Gyoun (Department of Advanced Materials and Chemical Engineering, University of Science and Technology (UST), 217 Gajeong-ro, Republic of Korea) ,  Chung Taek-Mo (Thin Film Materials Research Center, Korea Research Institute of Chemical Technology, 141 Gajeongro, Yuseong, Daejeon 34114, Republic of Korea) ,  Chung Taek-Mo (Department of Advanced Materials and Chemical Engineering, University of Science and Technology (UST), 217 Gajeong-ro, Republic of Korea)
資料名： Polyhedron  (Polyhedron)
巻： 176  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0301B  ISSN： 0277-5387  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,アミノアルコキシ配位子のα炭素置換基の立体障害とテルル化ゲルマニウム(GeTe)およびテルル化アンチモン(Sb_2Te_3)の生成の間の関係を解明した。一連のゲルマニウムおよびアンチモン前駆体を,dmampH,DMAPHおよびdmaeHのような異なるサイズのアミノアルコキシド型二座配位子を用いて調製した。これらの前駆体材料を,熱反応を通してヘキサデカン中でビス(トリメチルシリル)テルリドでさらに処理し,粉末X線回折(pXRD)で研究し,相変化ランダムアクセスメモリデバイスの可能性のある前駆体材料であるテルル化ゲルマニウム(GeTe)とテルル化アンチモン(Sb_2Te_3)合金の形成を比較した。190°Cでの化合物2と3の熱反応材料のpXRDパターンはGeTeとテルルの菱面体晶相を明らかにしたが,190°Cでの化合物5と6はこの温度でSb_2Te_3とテルルの菱面体晶相を示した。これらの結果は,比較的少ないバルク配位子を用いたとき,カルコゲナイド合金の形成がより好ましいことを示唆した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 三方晶系 ,  テルル ,  RAM【メモリ】 ,  炭素 ,  立体障害 ,  *相転移 ,  ゲルマニウム ,  合金 ,  アンチモン ,  熱化学反応 ,  カルコゲン化物 ,  *前駆体
準シソーラス用語： テルル化アンチモン ,  GeTe ,  テルル化ゲルマニウム , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： アミノアルコキシ配位子 ,  テルル化アンチモン ,  テルル化ゲルマニウム ,  相変化ランダムアクセスメモリ ,  前駆体化学

分類 (3件)： 遷移金属元素(鉄族元素を除く)の錯体の結晶構造  (BK09030X) ,  非遷移金属元素の錯体の結晶構造  (BK09020M) ,  非遷移金属元素の錯体  (CE01030C)

タイトルに関連する用語 (5件)： 相変化メモリ ,  溶液 ,  プロセス ,  前駆体 ,  戦略