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J-GLOBAL ID:202002216384685101   整理番号:20A2650869

メチルアンモニウム鉛トリブロミドペロブスカイト半導体による放射線センシングの改善【JST・京大機械翻訳】

Improved Radiation Sensing with Methylammonium Lead Tribromide Perovskite Semiconductors
著者 (12件):
資料名:
巻: 986  ページ: Null  発行年: 2021年 
JST資料番号: D0208B  ISSN: 0168-9002  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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最近,有機金属ハライドペロブスカイト(OMHP)は,イオン化放射線センシング応用のための潜在的媒質分解能検出器として多くの興味を引いている。今日までのOMHP放射線検出器の開発における適度な成功にもかかわらず,バルクキャリア特性を最適化する努力は,表面再結合,イオン伝導率,環境不安定性,および界面現象によって引き起こされるデバイス劣化によってしばしば妨げられる。本研究では,メチルアンモニウム鉛トリブロミド(MAPB)半導体放射線検出器の界面および表面特性,検出器安定性および応答性を改善する方法を検討した。仕上げ段階としてのジメチルホルムアミド(DMF)による化学機械研磨は,表面粗さを低下させ,表面トラップ状態を除去し,機械的研磨に比べてデバイス安定性を大きく増強することを示した。さらに,正孔ブロッキング/電子輸送層としての酸化スズ(SnO_2)界面層の使用はデバイス作製成功率を大きく増大させ,金属接触によるイオン移動反応の影響を緩和するのに役立った。これらのポスト成長処理技術は,α粒子に曝露したMAPB検出器の最初の電子応答をもたらした。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
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素粒子・核物理実験技術一般  ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  ,  放射線検出・検出器 
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