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J-GLOBAL ID：202002216444377740   整理番号：20A1070838

バルクWSe_2フレークにおけるゲート制御スピン緩和【JST・京大機械翻訳】

Gate-controlled spin relaxation in bulk WSe₂ flakes

著者 (6件)： Li Ying (State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  Wei Xia (State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  Ye Jialiang (State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  Zhai Guihao (State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  Wang Kaiyou (State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  Zhang Xinhui (State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, People’s Republic of China)
資料名： AIP Advances (Web)  (AIP Advances (Web))
巻： 10  号： 4  ページ： 045315-045315-6  発行年： 2020年 
JST資料番号： U7121A  ISSN： 2158-3226  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 時間分解Kerr回転および螺旋分解過渡反射測定を用いて,垂直電場下でのn型およびp型層状バルクWSe_2のスピン緩和動力学を研究した。実験結果は,10Kでの外部電場による3psから46psへのスピン緩和時間の効率的同調を明らかにした。外部電場に対するスピン緩和時間の依存性を,活性層間ホッピングに基づいて理解した。これらの研究はバルク遷移金属ジカルコゲニド(TMDC)におけるゲート調整可能スピン分極と緩和を示し,これはバルクTMDCに基づくスピン動力学とスピントロニクスデバイスの実用的設計を理解するために基本的に重要である。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *電場 ,  スピン分極 ,  同調 ,  ホッピング伝導 ,  フレーク ,  活性層 ,  スピントロニクス
準シソーラス用語： *スピン緩和 ,  外部電場 ,  Kerr回転 ,  スピンダイナミクス ,  ゲート制御 ,  スピン緩和時間 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  励起子  (BM02120E)

タイトルに関連する用語 (4件)： バルク ,  フレーク ,  ゲート制御 ,  スピン緩和