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J-GLOBAL ID：202002216591558535   整理番号：20A1802712

上海超伝導体技術における薄いハステロイ基板を用いた高J_e2G-HTSテープの最近の開発と大量生産【JST・京大機械翻訳】

Recent development and mass production of high J_e 2G-HTS tapes by using thin hastelloy substrate at Shanghai Superconductor Technology

著者 (18件)： Jiang Guangyu (Shanghai Superconductor Technology Co., Ltd, Shanghai, People’s Republic of China) ,  Zhao Yue (Shanghai Superconductor Technology Co., Ltd, Shanghai, People’s Republic of China) ,  Zhao Yue (Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, People’s Republic of China) ,  Zhao Yue (Shanghai Key Laboratory of High-Temperature Superconductor Materials and Applications, Shanghai, People’s Republic of China) ,  Zhu Jiamin (Shanghai Superconductor Technology Co., Ltd, Shanghai, People’s Republic of China) ,  Zhu Jiamin (Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, People’s Republic of China) ,  Hong Yiming (Shanghai Superconductor Technology Co., Ltd, Shanghai, People’s Republic of China) ,  Chen Chunsheng (Shanghai Superconductor Technology Co., Ltd, Shanghai, People’s Republic of China) ,  Chen Sikan (Shanghai Superconductor Technology Co., Ltd, Shanghai, People’s Republic of China) ,  Wu Yue (Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, People’s Republic of China) ,  Zhen Shuiliang (Shanghai Superconductor Technology Co., Ltd, Shanghai, People’s Republic of China) ,  Yao Linpeng (Shanghai Superconductor Technology Co., Ltd, Shanghai, People’s Republic of China) ,  Yao Linpeng (Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, People’s Republic of China) ,  Hong Zhiyong (Shanghai Superconductor Technology Co., Ltd, Shanghai, People’s Republic of China) ,  Hong Zhiyong (Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, People’s Republic of China) ,  Jin Zhijian (Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, People’s Republic of China) ,  Jin Zhijian (Shanghai Engineering Research Center of Superconductor Material and System, Shanghai, People’s Republic of China) ,  Yamada Yutaka (Shanghai Superconductor Technology Co., Ltd, Shanghai, People’s Republic of China)
資料名： Superconductor Science and Technology  (Superconductor Science and Technology)
巻： 33  号： 7  ページ： 074005 (7pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： T0607A  ISSN： 0953-2048  CODEN： SUSTEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 過去数年間,小型核融合システムおよび超高磁場挿入磁石における磁石用の高電流導体のような新しい応用は,第二世代高温超伝導体(2G-HTS)テープのより高い工学電流密度(J_e)を必要とする。本論文では,上海超伝導技術(SST)における30μmのHastelloy基板を有する2G-HTSテープの最先端を示した。強い人工ピン止め中心(APCs)を有するRE_1Ba_2Cu_3O_7(REBCO,RE=希土類)膜を30μm厚さのハステロイ基板に堆積した。50μm厚さの基板と比較して,より高い平均臨界電流(I_c),より良いI_c均一性,および膜厚増加によるより良いI_c直線性も,30μmの基板を有するテープの77K自己場で達成され,そこでは,片長は1kmであった。35μmの全厚さを有する4mm幅テープに対して,I_cと非銅J_e値は4.2K,10T(B//c)でそれぞれ600Aと450kAcm-2に達した。透過電子顕微鏡観察は,REBCO膜厚方向における高密度のナノ道路と積層欠陥を含む混合景観欠陥の形成を明らかにし,それは50nms-1以上の非常に高いREBCO成長速度に起因した。4.2K,12T(B//c)でのピン止め力密度(F_p)は800GNm-3以上に達し,揚力因子(4.2KでI_c,77Kで10TからI_c,77Kで100から500Acm-1w,自己場)も良好な整合性を示した。そのようなピンニングセンターを有する10mm幅テープの年間生産は,SSTにおける単一セットの施設に対して200kmを超えることができる。3mmの曲げ直径では顕著なI_c減少は認められず,また,液体窒素温度で測定した耐力(R_p0.2_0)は812MPaであった。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 磁石 ,  *超伝導 ,  臨界電流 ,  *大量生産 ,  核融合 ,  電流密度 ,  *ハステロイ ,  強磁場 ,  *導体 ,  ピン止め ,  積層欠陥 ,  成長速度 ,  透過型電子顕微鏡 ,  高温超伝導体
準シソーラス用語： REBCO , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 超伝導材料  (BM04041W) ,  電線・ケーブル  (NA05020S)

タイトルに関連する用語 (7件)： 上海 ,  超伝導体 ,  ハステロイ ,  HTS ,  テープ ,  開発 ,  大量生産